삼성전자, 세계최초 0.6mm 적층칩 기술 개발

[아시아경제 우경희 기자]삼성전자가 세계 최초로 0.6mm 두께 8단 적층칩 기술을 개발해 32GB(기가바이트) 낸드플래시 적층칩에 적용했다고 4일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 이 적층칩 기술은 750㎛ 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고 위로 쌓아 고용량의 패키지를 구성하는 방식이다. 기존 낸드플래시 적층 패키지는 칩의 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 쌓아 올려 1mm를 구현했었다.

이제껏 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율 확보가 어려웠다. 그러나 삼성전자는 0.6mm 두께 적층칩 기술을 확보, 이 한계를 극복했다.

삼성전자 측은 이번에 개발한 기술을 적용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현할 경우 현재의 두 배 이상 대용량 제품을 제조할 수 있다고 설명했다. 현재 50% 이상의 세계점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력도 한층 강화할 수 있게 됐다.

정태경 삼성전자 TP(Test & Package)센터 상무는 "0.6㎜ 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품 대비 두께는 물론 무게까지 절반 정도로 줄인 것"이라며 "대용량 메모리 탑재가 필수적인 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션"이라고 말했다. 정 상무는 또 "한계로 여겨졌던 1.0㎜ 이하 적층칩 솔루션을 제공해 모바일 기기 제조업체들은 소비자를 만족시킬 수 있는 다양한 제품 디자인을 할 수 있게 될 것"이라고 덧붙였다.

한편, 반도체 시장 조사기관 아이서플라이에 따르면 세계 메모리 카드 시장은 2GB 용량 이상의 제품 수량이 2009년 3억1000만개에서 2012년 7억7000만개 규모로 크게 성장할 전망이다. 중 16GB 이상 용량의 제품은 2009년 1900만 개에서 2012년 2억1000만개로 확대될 것으로 예상된다.

우경희 기자 khwoo@asiae.co.kr