하이닉스, 저전력 2세대 1Gb DDR3 개발

[아시아경제 김정민 기자]하이닉스 반도체(대표 김종갑)가 기존 제품보다 전력소모를 30%이상 줄인 2세대 1Gb DDR 3 개발을 완료 양산에 들어간다고 12일 밝혔다.

이달부터 양산에 들어가는 이 제품은 54나노 공정기술을 활용, 혁신적인 설계기술로 전력소모를 대폭 줄이는 데 성공했다.

하이닉스는 설계에 있어 회로를 최적화하고 단순화 시키는 한편 내부 신호처리에 있어 새로운 방법을 도입함으로써 기존 동작전압인 1.5V를 유지하면서도 전력소모를 30% 줄일 수 있게 됐다고 설명했다.

하이닉스는 DDR3시장 90%를 차지하고 있는 1Gb DDR3 제품에서 최고의 성능을 확보함에 따라 저전력 제품을 원하는 고객 수요에 적극 대응해 시장을 주도한다는 전략이다.

하이닉스 관계자는 “최근 IT산업 전반에 걸쳐 에너지 소모를 줄이려는 ‘그린 IT’ 제품이 주목 받고 있고, 이미 노트북을 포함한 모바일 제품이나 대형 서버를 사용하는 데이터센터 등에서는 에너지 절약이 필수적인 과제가 되고 있다”며 “이 제품으로 클라우드 컴퓨팅 등 향후 제품환경이 요구하는 성능과 효율성을 모두 만족시킬 것으로 기대한다”고 말했다.

미국 내 모든 서버에 이 제품을 사용할 경우 연간 약6억 달러의 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 150만 그루의 나무를 심는 것과 같은 환경 보호 효과가 있다는 게 하이닉스측의 설명이다.

한편, 4분기 양산예정인 44나노 2기가비트 DDR3 제품은 물론 향후 개발되는 모든 제품에도 이 제품에 적용된 설계기술이 동일하게 도입해, 친환경 저전력 제품 수요가 급증하는 시장 추세에 적극 대응해 나간다는 방침이다.

한편, 하이닉스는 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3의 비중을 50%이상으로 확대하는 한편, 기술력을 바탕으로 업계 최고의 특성을 보유한 차별화된 고부가가치 제품군을 지속적으로 공급할 예정이다.

김정민 기자 jmkim@asiae.co.kr