인텔·마이크론, 낸드 플래시 단점 보완…연내 시제품 생산
[아시아경제 이지은 기자]미국의 반도체 제조업체인 인텔과 마이크론이 낸드(NAND) 플래시 메모리보다 1000배 빠른 새 유형의 메모리 칩을 개발했다.
인텔ㆍ마이크론은 신형 메모리 칩 '3D 크로스포인트(Xpoint)' 개발에 성공했다며 올해 안으로 미국 유타주의 양사 합작 공장에서 시제품을 생산해 일부 고객사에 공급하기로 결정했다고 28일(현지시간) 발표했다.
새 칩은 전원 공급이 끊겨도 기억된 내용이 보존되는 '비휘발성 메모리'라는 점에서 낸드 플래시와 같다. 하지만 속도는 1000배 빠르고 수명이 길다. D램보다 10배 많은 용량의 데이터를 저장할 수 있다. 낸드 플래시와 D램의 장점만 합친 메모리 칩인 셈이다.
마크 애덤스 마이크론 사장은 새 칩과 관련해 "완전히 새로운 패러다임"이라며 "이번 기술로 낸드 플래시와 D램을 합해 785억달러(약 91조5700억원) 규모인 메모리 칩 시장에 엄청난 혁신이 일어날 것"이라고 주장했다.
낸드 플래시는 전원 공급이 끊기면 기억된 내용도 사라지는 D램의 단점을 보완하기 위해 만들어졌다. 하지만 속도는 D램보다 훨씬 느리다.
이에 반도체 메이커들은 새로운 유형의 메모리 칩을 개발하는 데 주력해왔다. 그 결과 최근 몇 년 사이 자기기록식메모리(M램), 상변화메모리(P램), 저항변화식메모리(R램), 스핀주입자화반전메모리(STT-M램) 등 다양한 차세대 반도체가 등장했다.
3D 크로스포인트가 낸드 플래시의 뒤를 이으리라 단언하기에는 아직 이르다. 미 경제 일간 월스트리트저널은 "새 칩의 중요성ㆍ독창성과 관련해 논란이 일고 있다"며 "다른 업체들도 최근 메모리 칩 분야에서 괄목할만한 성과를 얻어냈다"고 지적했다.
이지은 기자 leezn@asiae.co.kr
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