0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정 기반…퀄컴, 미디어텍 등에 프로모션중
[아시아경제 권해영 기자] 동부하이텍(대표 최창식)은 스마트폰 핵심부품인 전력반도체 제조에 최적화된 공정기술 개발에 성공했다고 21일 밝혔다.
이번에 개발한 제조공정기술은 0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정을 기반으로 한 것이다.
최근 퀄컴 등 반도체 설계전문기업(팹리스)들이 전력반도체 설계시 칩 크기를 최소화하기 위해 기존 0.18미크론급에서 0.13미크론급으로 개발공정을 미세화하고 있다. 이에 맞춰 동부하이텍도 해당 공정을 개발해 관련 파운드리 시장을 선점한다는 전략이다. 현재 동부하이텍은 이 공정기술을 앞세워 퀄컴, 미디어텍 등 전력반도체 선두기업 프로모션에 적극 나서고 있다.
스마트폰에는 보통 7~8개의 전력반도체가 들어가는데 이번 공정기술은 스마트폰 핵심 부품인 애플리케이션 프로세서(AP)와 베이스밴드칩(BB, 모뎀칩)에 전력을 공급하는 전력반도체 제조에 최적화돼 있다.
AP와 베이스밴드칩은 최근 스마트폰 기능이 늘어나면서 더욱 방대하고 다양한 데이터를 처리한다. 이와 연동되는 전력반도체도 다양한 기능을 포함해 칩 크기가 확대되자 이에 따른 미세화 공정 요구도 높아졌다.
동부하이텍 관계자는 "AP와 베이스밴드칩용 전력반도체는 다양한 기능으로 칩 크기가 큰 만큼 개당 가격도 2달러 수준으로 다른 종류의 전력반도체(1달러 미만) 대비 고가"라며 "성장성이 높고 부가가치가 높은 분야를 적극 공략해 지속적인 성장을 이뤄나갈 계획"이라고 밝혔다.
한편 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 스마트폰·태블릿용 전력반도체 시장은 지난해 24억달러에서 올해 30억달러 규모로 확대되고, 오는 2017년까지 연평균 10%씩 성장해 약 35억달러 규모의 시장을 형성할 전망이다.
권해영 기자 roguehy@asiae.co.kr
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