獨 바스프, 성균관대에 亞·太 전자소재 R&D 센터 설립

2014년 개소, 기술 및 연구 인력 40여명…바스프 "회사 전문성과 우수 연구 인력 최신 연구 접목"

[아시아경제 임선태 기자]글로벌 화학기업 바스프(BASF)는 8일 성균관대학교 자연과학캠퍼스(수원)에 새로운 아태지역 전자소재 연구개발(R&D) 센터를 설립한다고 밝혔다.

성균관대와 파트너십을 맺고 설립하는 바스프 전자소재 R&D 센터는 바스프의 아시아·태평양 지역 전자소재 연구의 통합 허브 역할을 담당할 예정이다. 이번 R&D 센터는 2014년 개소를 목표로 하고 있다. 기술 및 연구 인력은 40여명이다.

앞서 바스프는 지난 7일 벨기에 브뤼셀에서 열린 2013 유럽 투자유치식에서 윤상직 산업통상자원부 장관이 참석한 가운데 이번 R&D 센터 설립에 관한 협력 의향서(LOI)를 체결했다.

로타 라우피클러 바스프 그룹 전자소재 사업부문 수석 부사장은 "이번 아태지역 전자소재 R&D 센터를 통해 바스프가 가지고 있는 전자소재 분야의 세계적인 전문성과 우수 연구 인력들의 최신 연구를 접목할 수 있게 됐다"며 "이로 인해 고객들에게 보다 신속하게 시장 주도의 혁신 기술을 선보일 수 있을 것"이라고 말했다.

김준영 성균관대학교 총장은 "세계수준의 연구 성과와 광범위한 과학 산학 네트워크를 갖추고 있는 성균관대학교는 바스프의 연구개발과 관련해 가장 적합한 글로벌 파트너라고 생각한다"며 "이번 협력을 통해 아시아태평양지역 전자소재 연구의 통합허브기관으로서 역할을 기대한다"고 전했다.

전자소재 아태지역 R&D센터는 바스프의 글로벌 R&D 센터 네트워크의 일부로, 스페셜티 및 공정 화학제품, 무기소재뿐 아니라 반도체, 디스플레이, 유기 전자 소재, 발광다이오드(LED), 태양광용 고성능 애플리케이션을 위한 포뮬레이션 연구에 주력하며, 전자 기술 분야 전 과정에 걸쳐 다양한 혁신 솔루션을 선보인다는 계획이다.