UNIST·울산대, 0차원 공허와 원자간 상호작용 제어 ‥ ‘유전체 메모리’ 예고
인간 도달할 수 있는 최소 공간 제어 기술, 디지털 메모리·양자정보 소재 응용
[아시아경제 영남취재본부 김용우 기자] 한국 물리학자들이 기존 0과 1만 쓰는 이진법 저항 변화를 활용한 반도체 메모리가 아닌 전혀 다른 새로운 기법의 메모리 기술 개발에 길을 터 세계가 주목하고 있다. 에너지와 공간을 많이 필요로 하는 반도체가 아닌 이른바 ‘유전체 메모리’ 시대를 예고한 셈이다.
‘텅 비어 있는 공간’에서 물질의 상호작용을 제어하는 기술로 ‘유전율(permittivity)’을 이용해 정보를 저장하는 방식이 세계 최초로 개발됐다.
유전율은 전기장의 영향을 받아 분극이 일어난 정도를 뜻하는 물리량이다. 텅 비어 있는 공간을 뜻하는 ‘0차원 공허’와 ‘물질’ 사이의 상호작용을 제어해 유전율을 다중 상태로 바꾼 독특한 아이디어이다.
울산과학기술원(UNIST) 물리학과 오윤석 교수팀은 울산대학교 물리학과 김태헌 교수팀과 공동으로 ‘0차원 공허’와 ‘물질’ 사이의 상호작용이 물질의 유전율 크기를 변화시킬 수 있음을 발견했다. 또 이런 상호작용을 제어해 유전율이 각기 다른 다중 상태로 제어되는 새로운 메모리(Memory) 기술을 찾아냈다.
전기가 안 통하는 물질이라도 전기장에 두면 물질 내부에 무질서하게 놓여있던 전기쌍극자가 정렬한다. 유전율은 그 반응 정도가 얼마나 민감한지 나타내며 물질과 공간의 고유한 특성이다.
오윤석 교수는 “유전율은 어떠한 물질도 존재하지 않는 진공에서도 정의할 수 있는 물리량”이라며 “별빛이 진공에 가까운 우주 공간을 여행해 지구까지 도달할 수 있는 이유도 유전율로 설명된다”고 설명했다.
공동 연구팀은 새로운 강유전체(Ferroelectrics) 박막을 개발해 ‘0차원 공허’를 만들었다. 강유전체는 외부 전기장이 없이도 스스로 분극을 가지는 재료로 외부 전기장에 의해 분극 방향이 바뀔 수 있다.
새로운 강유전체 박막은 오윤석 교수팀에서 개발한 새로운 웨이퍼(Wafer) 소재인 ‘바륨지르코늄 산화물(BrZrO₃) 단결정’ 위에 김태헌 교수팀이 ‘티탄산바륨(BaTiO₃)’ 박막을 증착해 만들었다. 이 박막은 기존 티탄산바륨과 전혀 다른 대칭성을 가지는 새로운 강유전체가 된다.
오 교수팀에서 새로 개발한 바륨지르코늄 산화물의 격자상수는 4.189?으로 기존 웨이퍼들보다 압도적으로 큰 크기다.
이처럼 압도적으로 큰 격자상수는 티탄산바륨 박막에 ‘0차원 공허’ 즉 텅 비어 있는 공간을 만든다. 이렇게 형성된 0차원 공허와 주변 원자들 사이의 상호작용은 박막 소재의 유전율 크기를 바꾼다.
연구진은 이렇게 변하는 유전율을 메모리 정보에 사용하면 장점이 많은 데 착안했다. 저항을 이용하는 반도체 메모리보다 에너지 효율이 높고 발열이 없는 메모리 소자 구현이 가능한 것이다.
또 0차원 공허와 주변 원자 사이의 상호작용을 이용하면 1과 0만 쓰는 이진법 메모리보다 다양한 조합이 가능해 ‘다진법 메모리’ 구현도 가능하다. 더 나아가 0차원 공허 주변에만 형성된 양자 스핀은 양자 정보로도 활용될 수 있다.
오 교수는 “이번 연구에서 직접 개발한 소재 기술 덕분에 0차원 공허가 주변 원자 분극에 미치는 영향을 통제하고 체계적으로 제어해 새로운 유전율 메모리 소재를 구현할 수 있었다”며 “이를 활용하면 전통적인 반도체 소재와 전혀 다른 새로운 방식의 메모리 소재나 소자 개발이 가능하다”고 강조했다.
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이번 연구 결과는 응집물질 물리학 분야에서 세계 2대 저널 중 하나인 ‘어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)’에 9월 7일 자로 공개됐다.
영남취재본부 김용우 기자 kimpro7777@asiae.co.kr
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