SK하이닉스, 세계 최초 8Gb 모바일D램 개발

20나노급 기술 적용, 고용량·초고속·저전력 특성 갖춰

[아시아경제 명진규 기자]SK하이닉스는 10일 세계 최초로 20나노급 공정을 적용한 8기가비트(Gb)급 저전력 모바일D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 고용량, 초고속, 저전력 특성을 갖춘 모바일 전용 메모리 솔루션이다.

8Gb 모바일D램 개발에 성공하며 4단 적층 기술을 통해 4기가바이트(GB, 32Gb)의 고용량 제품을 한 패키지에서 구성할 수 있게 됐다. 고용량 제품을 만들때 패키지의 높이가 4Gb 단품 대비 획기적으로 얇아져 초슬림 모바일 기기 설계에도 유리하다.

속도 측면에서도 기존 저전력 모바일D램의 데이터 전송속도인 1600Mbps를 능가하는 2133Mbps를 구현해 모바일 제품 중 최고속의 특성을 갖췄다. 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 단일 채널에서 최대 초당 8.5기가바이트(GB), 듀얼 채널에서 17GB의 데이터를 처리할 수 있다.

동작전압은 1.2V로 속도는 2배 이상 빨라졌지만 전력 소모량은 10% 이상 줄어들었다. 스마트폰, 태블릿PC 등 배터리를 이용하는 모바일기기에 최적화된 것이다.

SK하이닉스는 고객사에 8Gb 모바일D램 샘플을 공급하기 시작했으며 올해 연말 양산할 계획이다.

명진규 기자 aeon@