KEC, 효율 2배 향상된 'Trench IGBT' 개발 완료

[아시아경제 임철영 기자]비메모리 반도체 제조사 KEC는 최근에 효율을 2배로 향상시킨 Trench IGBT 소자를 개발 완료하여 금년내 양산 출시할 예정이라고 4일 밝혔다.

회사 관계자는 " Trench 기술은 기존의 플래너(Planar) 기술을 적용한 IGBT에 비해 셀(Cell)의 집적도를 높여 제품 성능이 2배 이상 우수하고 제조원가도 50% 이상 절감될 뿐만 아니라 현재 보유중인 MOS 공정 라인을 이용하기 때문에 별도의 투자 없이 획기적인 원가절감으로 상품 경쟁력을 대폭 향상시킬 수 있다"고 밝혔다.

KEC는 이번에 개발한 Trench IGBT 기술을 토대로 차세대 성장동력으로 자리매김한 태양광발전, 풍력발전 등 에너지의 발전 설비나 각종 산업기기의 모터제어, 전기자동차, 전동차 등에 적용되는 전력반도체 시장에 진출할 수 있는 기반을 마련한 것으로 평가된다.

임철영 기자 cylim@asiae.co.kr