"판 뒤집는다" 반격 준비하는 삼성, '세계최초' 꺼냈다

엔비디아 '베라루빈' 탑재 전망
구동 속도 업계 표준 초월 호평

삼성전자가 이달 말 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 양산 출하한다. SK하이닉스와의 HBM3E(5세대) 경쟁에서 고배를 마신 삼성전자가 전세를 역전하고 반격의 서막을 써 내려 갈 수 있을지 관심이 집중된다.

9일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시기를 다가오는 설 연휴 이후인 2월 말로 잡은 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자는 지난달 29일 열린 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서도 "주요 고객사 요청으로 HBM4 출하가 2월로 예정됐다"고 밝힌 바 있다. 차세대 HBM4가 양산 출하되는 것은 이번이 세계 최초다.

연합뉴스

HBM4는 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 칩 '베라 루빈'에 탑재된다. 내달 엔비디아의 기술 콘퍼런스 'GTC 2026'에서 삼성전자 HBM4가 탑재된 베라 루빈이 처음 베일을 벗을 것으로 예상된다.

삼성전자는 HBM4 개발에 착수할 당시부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC)의 표준을 초월하는 최고 성능을 목표로 삼아왔다. 이에 삼성전자는 이번 HBM4에 1c(10㎚급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 띄웠다. 업계 유일의 공정 조합을 채택한 삼성전자 HBM4의 데이터 처리 속도는 최대 11.7Gbps(초당 기가비트)로, JEDEC 표준(8Gbps)은 물론 HBM3E(9.6Gbps)마저 가뿐히 넘어선다.

삼성전자의 HBM4는 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역폭이 전작 대비 2.4배 향상된 최대 3TB/s에 이른다. 12단 적층 기술에 따른 최대 용량은 36GB로, 향후 16단 적층 기술이 구현될 경우 최대 48GB까지 확장이 가능한 것으로 파악된다. 연산 성능을 극대화하는 한편 저전력 설계로 서버 및 데이터센터의 전력 소모와 냉각 비용을 크게 절감할 수 있게 된다.

현재 삼성전자는 HBM 생산 능력을 확대하기 위해 평택 캠퍼스 4공장에 신규 라인 설치를 추진 중이다. 2028년 가동을 목표로 건설이 한창인 평택 5공장 역시 HBM4 이상의 차세대 메모리와 2㎚(1㎚=10억분의 1m) 이하 초미세 파운드리 라인이 공존하는 '하이브리드 팹'으로 운영될 공산이 크다.

류형근 대신증권 연구원은 "삼성전자가 HBM4 구동 속도에서 고객사들의 호평을 받는 점 등을 고려할 때 지난날의 부진을 딛고 재기에 성공할 것으로 보인다"며 올해 HBM 매출액을 전년 대비 183% 성장한 23조7000억원으로 추정했다.

김진영 기자 camp@asiae.co.kr