실리콘캐패시터 팹리스 '엘스패스'에 출하
주성엔지니어링이 DTC 실리콘 캐패시터 원자층증착(ALD) 장비를 출하해 차세대 반도체 시장 선점에 나선다. 세계 최초 기술력을 바탕으로 장비를 개발했다는 설명이다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증으로 심각한 리스크로 떠오른 발열, 누설 전류, 노이즈 문제를 줄이고 안정적으로 전압과 전류를 공급하는 ALD 장비를 만들어 글로벌 수주 실적을 늘릴 기회를 잡은 것이다.
황철주 주성엔지니어링 회장(윗줄 가운데)과 임직원들이 17일 경기 용인시 연구개발(R&D) 센터에서 DTC 실리콘 캐패시터 원자층증착(ALD) 장비 개발 후 기념촬영을 하고 있다.[사진제공=주성엔지니어링]
주성엔지니어링은 실리콘 캐패시터 팹리스(설계 전문) 기업 엘스페스(옛 앨로힘)에 해당 장비를 출하했다고 17일 밝혔다.
고성능 반도체를 구현하려면 공정을 미세화해 한정된 면적 안에 수백억개의 트랜지스터를 넣어야 한다. 인공지능(AI) 반도체 수요가 늘어 반도체 집적도가 높아질수록 발열, 누설 전류, 노이즈 등 문제가 커진다.
주성엔지니어링은 실리콘 캐패시터가 대안으로 떠오르고 있다고 했다. DTC 실리콘 캐패시터는 기존 MLCC 대비 고온·고주파 환경에서도 노이즈 없이 안정적으로 전압과 전류를 공급할 수 있다.
실리콘 캐패시터는 기존 적층세라믹캐패시터(MLCC)와 달리 고유전체(하이-K) 화합물로 만들어 효율이 더 높다. 대역폭(band width)이 커질수록 더 많은 MLCC가 필요하다. 실리콘 캐패시터는 1개로도 대체 가능하다. 따라서 초소형 폼팩터(제품 형태) 제품에 적용 가능하다.
실리콘 캐패시터 성능을 높이기 위해서는 고유전율 레이어를 고세장비(High aspect ratio) 구조물에 얇게 겹겹이 증착하는 것이 중요하다. 하이-K 화합물은 주성엔지니어링이 만든 ALD 장비 공정을 활용하면 더 정교하고 빠르게 증착할 수 있다는 특징이 있다.
주성엔지니어링은 세계 최초 ALD 기술을 신규 애플리케이션인 DTC 실리콘 캐패시터에 접목했다고 알렸다. 이를 기점으로 차세대 DTC 초기 시장을 선점해 글로벌 고객사를 확보해 나간다는 방침이다.
주성엔지니어링 관계자는 "DTC 실리콘 캐패시터 ALD 장비를 출하한 것은 그동안 축적한 주성의 혁신과 고객의 신뢰로 만든 결과"라며 "차세대 반도체 초기 시장을 선점해 지속성장의 기반을 다질 것"이라고 말했다.
문채석 기자 chaeso@asiae.co.kr
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