한국산업기술기획평가원(KEIT)은 소재부품 기술개발사업을 통해 개발된 '고효율, 고신뢰성 특성의 산화갈륨 전력반도체 소자 기술개발' 성과를 26일부터 31일까지 독일 베를린에서 열리는 국제산화갈륨워크숍(IWGO)에서 발표했다고 28일 밝혔다.
산화갈륨(Ga2O3)은 전도대(Conduction band)와 가전자대(Valence band)의 차이가 커서 더 높은 온도·전압·주파수 등에서 작동할 수 있는 차세대 소자다. 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)에 이어 3세대 전력반도체로 자리매김하고 있다. IWGO는 세계 최고의 산화갈륨 학술 워크숍으로 전 세계의 반도체 전문가들이 모여 최신 기술과 연구 결과를 공유하는 자리다.
주관연구개발기관인 한국반도체연구조합은 이번 행사에 참여해 국내 산화갈륨 전력반도체 소재인 산화갈륨 파우더, 기판(웨이퍼) 및 전력소자 모듈의 완제품 연구개발 생태계를 선보였다. 반도체연구조합은 산화갈륨 원료 분말 소재와 상용화 수준의 산화갈륨 다이오드(SBD, Shotty Barrier Diode) 등을 전시하고 시연했다. KEIT는 "고품질 단결정 성장 기술은 용융법을 통해 성장한 단결정 잉곳을 가공 기판으로 제조하는 기술로, 기존 와이드밴드갭 소재에 비해 고품질·대구경·저가화가 가능해 차세대 소재로서 많은 관심을 받을 것으로 기대된다"고 설명했다.
한편, 산업통상자원부와 KEIT는 2021년 4월부터 20224년 12월까지 '고효율, 고신뢰성 특성의 산화갈륨 전력반도체 소자 기술개발' 과제를 지원하고 있다. 이번 과제는 파워큐브세미, 한국세라믹기술원이 함께 참여하고 있다.
강희종 기자 mindle@asiae.co.kr
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