삼성전자, 실리콘밸리서 '샤인볼트' 등 AI 시대 차세대 메모리 공개

美 실리콘밸리서 '삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최
초거대 AI 시대를 주도할 '차세대 메모리 솔루션' 선봬

삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션센터에서 '메모리 역할의 재정의'를 주제로 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 개최하고 초거대 인공지능(AI) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.

삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이 (Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다. 사진은 이날 공개된 삼성전자 HBM3E D램. 삼성전자 제공. [이미지출처=연합뉴스]

삼성전자는 AI 시대를 맞아 D램 집적도 향상에 나서고 있다고 밝혔다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이다. 현재 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

삼성전자는 9세대 V낸드에서도 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다. 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술을 활용해 1000단 V낸드 시대를 준비할 방침이라고 밝혔다.

차세대 HBM3E D램 '샤인볼트'도 처음 공개했다. 삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 열고 차세대 D램 개발에 몰두해왔다.

'샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도(30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도)를 가진다. NCF(비전도성 접착 필름) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다. 삼성전자는 차세대 제품인 HBM3E 샘플을 현재 고객들에게 전달하고 있다고 밝혔다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장이 20일(현지시간) 미국 실리콘벨리 맥에너리 컨벤션 센터에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'에서 발표하고 있다. 삼성전자 제공. [이미지출처=연합뉴스]

삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션도 공개했다. 특히 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 집중시켰다. 아울러 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)'도 선보였다. 이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 또한 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이한 제품이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약과 도전의 시간이 될 것"이라며 "한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다. 이 사장은 "새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다"고 덧붙였다.

삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이 (Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다. 사진은 삼성 메모리 테크 데이 2023 현장 부스 모습. 삼성전자 제공. [이미지출처=연합뉴스]

박선미 기자 psm82@asiae.co.kr