MS·소니·델 CEO, 삼성 20나노 양산에 감탄한 사연

[아시아경제 박성호 기자]22일 삼성전자 나노시티 화성캠퍼스 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램.플래시 양산'행사에는 세계적인 IT CEO들이 총집합했다.

소니에서는 나카가와 유타카 부회장이 직접 참석했고 스티브 발머 CEO와 쉐어 왕 HTC 회장, 제프 클라크 델(DELL) 부회장과 양위엔칭 레노보 CEO, 프랜 오 설리반 IBM 부회장 등은 불가피하게 참석하지 못하자 축하 영상 메시지를 보내왔다.

세계적인 IT CEO들이 삼성전자의 20나노 D램 양산에 일제히 '감탄사'를 터뜨린 이유는 무엇일까.

한마디로 글로벌 경기위축에도 불구하고 삼성전자가 20나노급 D램 양산으로 메모리반도체시장의 절대지존 위치를 더욱 공고히 했기 때문이다.

세계 최초로 본격 양산되는 20나노급 D램은 30나노급보다 전력 소모가 15~20% 적고 회로 선폭 가격이 좁아져 크기도 작아진다. 현재로서는 생산성 및 경제성 측면에서 경쟁업체들이 추격을 엄두내기 조차 힘든 수준이다. 업계에서는 후발업체들에 최대 1년 6개월 이상 기술격차를 벌인 것으로 평가하고 있다.

최근 D램 가격이 0.66달러로 원가 이하로 떨어져 회복하지 못하는 상황이기 때문에 미세공정에서 앞서는 제품으로 삼성전자는 가격경쟁력을, 그리고 이를 조달받는 세트업체들은 저렴한 가격과 작은 사이즈, 초절전 제품으로 또 다른 완제품 경쟁력을 창출해 낼 수 있는 기반을 마련한 것이다.

일본 엘피다가 지난 8월 초 '25나노 2기가비트(Gb)' 용량의 DDR3 SD램 샘플을 출하하고 상업공정에 적용했다고 했지만 양산과정에서 애로를 겪는 것으로 알려져 이는 '말잔치'로 끝나는 양상이기 때문에 이번 삼성전자의 20나노급 D램 양산이 더욱 빛을 발하는 계기가 됐다.

글로벌 IT CEO들이 주목하고 있는 점은 단순히 '세계 최초 제품'이 아니다.

삼성전자는 반도체 불황 사이클이 돌아올 때마다 이건희 회장의 주도로 오히려 적극적인 기술개발과 투자를 통해 후발업체와 격차를 확대해 가는 전략을 구사해 업계에 충격을 던졌다.

이건희 회장은 지난 8월 초순 반도체 사장들과의 오찬에서 'D램의 뒤를 이를 차세대 메모리 개발 속도를 높이라"고 지시했다. 이미 당시 D램 가격은 속락하며 대만과 일본업체들이 어쩔 수 없이 감산을 고려하고 있었는데 이 회장은 오히려 투자와 개발을 독려한 것이다.

이 회장은 또 작년 경영복귀 이후 첫 현장경영지로 '반도체 16라인 기공식 현장'을 정하고 "위기에 투자를 더 늘리고 인재를 더 많이 뽑아 글로벌 사업기회를 선점하라"고 지시한 바 있다.

한편 삼성전자는 이달부터 차세대 20나노급 낸드 플래시 양산으로 시작으로 내년부터는 차차세대 10나노급 메모리를 양산할 수 있는 최첨단 반도체 생산라인을 확보하게 됐다.

내년 말 최종 투자를 마치고 풀 가동체제로 운영하면 세계 최대 메모리 생산시설이 된다. 또 이번에 본격가동하는 16라인은 임직원들에게 최적의 근무환경을 제공하기 위해 건강관리센터와 치과, 은행, 카페 등 각종 건강 및 편의시설을 갖췄다.

박성호 기자 vicman1203@