하이닉스, 30나노급 차세대 2Gb DDR4 D램 개발(상보)

[아시아경제 김진우 기자]하이닉스반도체(대표 권오철)는 4일 국제 반도체 표준협의 기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. 또 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) 오류수정 기능 노트북용 모듈(ECC-SODIMM)도 개발을 완료했다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램이다. 하이닉스는 업계 선두수준의 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 ECC-SODIMM을 통해 성능을 확인, 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps(메가스피드)의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다.

2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있다. 또 D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 대비 50% 가량 전력소모가 줄었다.

김지범 마케팅본부장(전무)은 "이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경·저전력·고성능 특성을 모두 만족시켰다"면서 "차세대 공정을 적용한 세계 최고수준의 DDR4 D램을 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획"이라고 말했다.

한편 시장조사기관인 아이서플라이는 DDR4 D램 비중이 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘어 시장의 주력제품이 될 것으로 예상했다. DDR3 D램 비중은 2012년 71%로 최고치를 기록한 뒤 2013년과 2014년에는 각각 68%, 49%로 점차 비중이 감소할 것으로 전망했다.

김진우 기자 bongo79@