하이닉스 "30나노급 D램 양산..연말 40%목표"(종합)

[아시아경제 김진우 기자]하이닉스반도체가 1분기 30나노미터급(㎚) D램 양산에 돌입하는 한편, 연말까지 30나노급 공정 비율을 40%까지 끌어올린다는 목표를 밝혔다. 낸드플래시도 올 하반기까지 20나노 제품 개발을 완료하고 내년 양산 계획을 재확인했다.

권오철 하이닉스 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회를 마친 후 기자간담회에서 "38나노 D램은 작년에 개발을 완료하고 1분기 양산을 개시한다고 했는데 계획대로 소량을 양산하고 있다"면서 "의미 있는 생산량은 2분기에도 많지 않을 것 같고 하반기 공급을 본격적으로 하겠다"고 밝혔다.

권 사장은 또 "30나노급 공정을 해 보니까 어렵긴 어렵다. 저희뿐만 아니라 경쟁사(삼성전자)도 어려워한다"면서 "하지만 연말까지 30나노급 비중 목표 40%를 달성하겠다"고 덧붙였다.

권 사장은 낸드플래시와 관련해 "작년 26나노 낸드플래시 개발을 완료하고 금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다"면서 "내년에 양산을 시작해서 의미 있는 생산이 되도록 하겠다"고 말했다.

권 사장은 1분기 실적 전망에 대해 "D램과 낸드플래시의 생산이 늘어나 매출액은 이전분기대비 큰 변화는 없을 것"이라며 "구체적으로 말씀드릴 수는 없지만 IFRS(국제회계기준) 도입으로 회계상 영업이익은 감소할 것"이라고 답했다.

D램 및 낸드플래시 시황과 관련해 그는 "계절적 요인 등 현재 저점은 지난 것이 아닌가 조심스럽게 생각한다"면서 "앞으로 일본 사태가 어떻게 수습되느냐에 따라 다소 영향을 받겠지만 전반적으로 D램과 낸드플래시 모두 우호적인 시장 여건이 조성되지 않을까 한다"고 말했다.

아울러 권 사장은 차입금 감소 목표와 관련해 "애초 6000억원을 줄인다고 했는데 숫자에 집착할 필요는 없지만 현금 여유가 있다면 부채 규모를 꾸준히 낮추는 게 맞다"면서 "현재 총 부채(5조9000억원)가 이비타(EBITDA, 6조원) 이하 수준으로 안정돼 있다. 초과 이익이 발생한다면 무조건 부채수준을 낮추지는 않겠지만 필요시 추가 감축은 가능하다"고 말했다.

한편 하이닉스는 이날 주총에서 이달곤 전 행정자치부 장관 등 4명을 사외이사로 신규 선임했다. 또 이사(사내이사 4명, 사외이사 9명)의 보수한도를 작년 40억원에서 올해 50억원으로 늘리는 안건과 주당 150원의 현금배당 의결 안건을 상정했다.

김진우 기자 bongo79@