日 엘피다 45nm D램 연내 양산

삼성전자보다 앞서 선폭 45nm급 생산설비 구축 계획, 히로시마 공장 연내 양산 시작

[아시아경제 양재필 기자] 일본 최대 메모리 반도체업체인 엘피다가 라이벌인 한국의 삼성전자 보다 앞서 45nm급 D램을 개발에 성공, 연내 양산 체제에 들어갈 예정이라고 8일 니혼게이자이신문이 보도했다.

엘피다는 D램 시장 회복세를 주시하면서 향후 단계적으로 300억~400억엔(약 3900억~5200억원)가량을 관련 설비확충에 투자한다는 방침이다.

이번 45nm급 D램은 최첨단 나노기술을 적용, 회로선폭을 획기적으로 줄여 기존 웨이퍼당 수율보다 40% 이상 증가한 D램 칩을 생산할 수 있다. 이는 삼성전자가 지난 7월부터 양산을 시작한 제품에 비해서도 5~10% 많은 수준이다. 또한 정보 전송속도가 빠르고 소비전력도 적다는 게 회사 측의 설명이다.

엘피다는 현재 히로시마와 대만 자회사 공장에서 65nm 와 54nm급 D램을 생산중이며, 주력 공장인 히로시마 공장의 생산력은 300㎜ 웨이퍼 기준으로 월 12만5000장이다. 엘피다는 D램 가격 동향과 수주량 등을 주시하며 히로시마 공장의 제조설비를 점차 45nm용 생산설비로 교체, 향후 히로시마 공장 생산능력의 최대 50%를 45nm 생산라인으로 전환한다는 계획이다