삼성전자, '40나노급' 8기가 플렉스 원낸드 출시

퓨전메모리도 40나노 시대 개막


삼성전자가 40나노급(1나노= 10억분의 1미터) 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)를 개발했다. 휴대폰에 주로 쓰이는 플렉스 원낸드는 초고속 SLC(Single Level Cell) 낸드와 기가급 고용량 MLC(Multi Level Cell) 낸드의 특성을 통합시킨 차세대 모바일 솔루션으로, 고샤향의 휴대폰· 스마트폰 등에서 그 채용 범위가 점차 확대되고 있다.

삼성전자는 올 3월부터 8기가 플렉스 원낸드를 양산, 고용량 고사향 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나간다는 방침이다. 특히 이번에 개발된 8기가 플렉스 원낸드 제품은 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노 공정을 적용, 기존 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품에 비해 생산성을 약 2.8배 향상시켰다.

제품의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰 업체에서 직접 플렉스 원낸드의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로(Flexible)디자인할 수 있다. 즉, 프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등의 데이터 저장용 MLC 플래시를 하나의 칩으로 구현할 수 있게 된 것.

내장 타입의 확장 스토리지인 'eMMC'까지 컨트롤할 수 있어 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어가 필요 없도록 했다.

한편, 8기가 플렉스 원낸드 제품은 MLC 낸드 플래시에 비해 4배 이상 고속의 읽기가 가능해 대용량· 고성능· 저소비전력 등을 요구하는 고사향 휴대폰에 적합하다. 삼성전자는 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해에 비해 2배 이상 확대하고, 퓨전 메모리의 사업화 역량을 강화, '고용량 카드 시장'의 성장을 견인해 나간다는 방침이다.

윤종성 기자 jsyoon@asiae.co.kr