檢, ‘K반도체’ 기술 유출… 삼성 출신 中 창신반도체 개발총괄 등 기소

檢 "D램 반도체 수백 단계 공정 베겨서 유출"
지난해 삼성전자 매출 감소액 5조원 상당

검찰이 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가핵심기술 유출 사건을 수사해 중국 최초의 D램 반도체회사인 창신메모리반도체(CXMT)가 삼성전자의 핵심기술을 유출해 최종 양산까지 성공한 범행 전모를 밝혀냈다. 해당 국가핵심기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술이다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 23일 CXMT에서 개발을 총괄한 삼성전자 임원 출신 A씨 등 핵심 개발 인력 5명을 산업기술보호법 위반(국가핵심기술 국외유출 등) 혐의 등으로 구속기소하고 나머지 5명(파트별 개발책임자 등)을 불구속 기소했다.

검찰에 따르면 중국 지방 정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사인 CXMT는 개발 모든 과정에 걸쳐 세계 최고의 국내 반도체 핵심기술을 부정 사용해 중국 최초(세계 4번째)로 10나노대 D램 양산에 성공했다.

CXMT는 2016년 5월 설립 직후 당시 세계 최초이자 유일하게 10나노대 D램 양산에 성공한 삼성전자의 핵심 인력을 영입한 뒤 기술 확보 계획을 수립했다. 이후 삼성전자 연구원인 B씨가(인터폴 적색수배) CXMT로 이직하면서 수백 단계의 공정 정보를 베껴 적어 유출한 뒤, 개발 과정에서 SK하이닉스의 국가핵심기술을 추가로 확보해 중국 설비에 맞도록 지속적으로 수정·검증함으로써 2023년 중국 최초로 D램 양산에 성공한 사실이 드러났다.

검찰은 이번 사건을 인해 CXMT는 세계 최고 수준의 D램 공정 기술을 확보해 HBM(고대역폭 메모리) 개발을 위한 발판을 마련한 반면, 삼성전자 등의 손해는 최소 수십조원에 달하는 것으로 내다봤다.

전 세계 점유율 변화를 근거로 추정한 삼성전자의 지난해 매출액 감소만 5조원 상당으로, 국내 반도체 관련 산업의 규모(전체 수출액 중 20.8%)등을 고려하면 향후 국가 경제에 발생하는 피해액은 최소 수십조원에 달할 것으로 예상된다.

허경준 기자 kjune@asiae.co.kr