이재용, 귀국길 '활짝'…경계현 "EUV 기술 우선권 확보"(종합)

"반도체가 거의 90%였다"

윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문 동행을 마치고 15일 오전 7시3분 서울김포비즈니스항공센터를 통해 귀국한 이재용 삼성전자 회장의 표정은 밝았다. 출장 성과와 관련해 "반도체가 거의 90%였다"며 만족감을 나타냈다.

이 회장은 지난 11일 네덜란드로 떠난 뒤 반도체 장비 업체 ASML 본사를 방문하는 등 관련 일정을 마치고 이날 귀국했다. 다소 피곤한 얼굴을 두 손으로 감싸며 "잠이 막 깼다"고 했지만 밝은 표정으로 네덜란드 출장 성과에 대해 "반도체가 거의 90%였다"며 자신 있게 말했다.

이 회장은 출장 성과에 만족하는 표정을 짓고 삼성전자에서 반도체 부문을 총괄하는 경계현 DS부문장(사장)의 어깨를 두드리며 추가 설명을 부탁했다. 경 사장은 삼성전자와 ASML이 경기도 화성 동탄에 차세대 극자외선(EUV) 노광 장비 연구·개발(R&D) 센터를 공동 운영하기로 한 것에 대해 "EUV는 가장 중요한 장비 중 하나이기 때문에 반도체 공급망 차원에서 삼성전자는 굉장히 튼튼한 우군을 확보한 셈"이라고 말했다.

ASML이 해외에 공동 R&D 센터를 두는 것은 이번이 첫 사례다. ASML은 실리콘 원판(웨이퍼)에 회로를 새기는 EUV 장비를 세계에서 독점 생산하는 곳이다. 7나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1ｍ) 이하 미세 공정에서 EUV 장비가 필수로 쓰이다 보니 반도체 업계 '슈퍼 을(乙)'로 불린다.

경 사장은 "삼성전자는 앞으로 R&D센터에서 ASML과 기존 EUV 장비보다 진화한 차세대 EUV '하이 뉴메리컬어퍼처(NA)' 관련 기술을 개발한다"며 "삼성의 엔지니어와 ASML 엔지니어가 공동으로 연구를 진행해 하이 NA 도입 효과를 키우겠다"고 덧붙였다. 이어 "하이 NA에 대한 기술적인 우선권을 삼성이 갖게 될 것"이라며 "장기적으로 D램이나 로직에서 하이 NA를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들었다"고 의미를 부여했다.

하이 NA는 2㎚ 이하 초미세 공정 구현에 있어 핵심으로 쓰일 장비다. 2025년에 본격적으로 도입될 전망이다. ASML은 2028년까지 하이 NA 생산능력을 연 20대까지 확보하겠다고 밝혔지만 삼성전자뿐 아니라 대만 TSMC, 미국 인텔 등 다수 기업이 공급을 요구하다 보니 장비 확보가 곧 사업 경쟁력이 된 상황이다.

한편 삼성전자는 전날부터 각 사업부문별로 내년도 사업계획을 논의하는 글로벌 전략회의를 진행 중이다. 경 사장은 오는 19일 DS 부문 전략회의에 참석해 ASML과의 협력이 삼성전자 반도체 사업에 미치는 영향 등을 점검하고 세부 계획을 세울 것으로 보인다. 이 회장은 예년과 마찬가지로 회의에 직접 참석하지 않고 추후 사업전략 등을 보고받을 예정인 것으로 알려졌다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr