韓연구진, 2차원 반도체 초격자 신물질 세계 최초 구현

서로 다른 원자층 9층까지 쌓는 물질성장법 개발
양자컴퓨팅 원천 기술 확보
초소형·저전력 전자기기 활용 가능

[아시아경제 김봉수 기자] 한국 연구진이 세계 최초로 서로 다른 원자층을 차곡 차곡 쌓는 물질 성장법을 개발해 양자 컴퓨팅의 원천 기술 확보에 청신호를 켰다.

기초과학연구원(IBS)은 조문호 원자제어 저차원 전자계 연구단( 포스텍 교수) 부연구단장 연구팀이 서로 다른 원자층 반도체를 차곡차곡 쌓는 물질 성장법을 개발해 원자층 두께의 2차원 반도체 초격자 구조를 가진 신물질을 세계 최초로 구현했다고 19일 밝혔다. 연구팀은 "새로운 양자 정보 반도체 플랫폼을 제시해 양자컴퓨팅 원천 기술 확보를 앞당길 것으로 기대된다"고 설명했다.

반도체 초격자 구조(두 종류 이상의 물질이 주기적인 층을 이루고 있음)를 두 층의 단일 접합을 통해 만드는 기술은 이미 개발돼 있다. 서로 다른 원자의 주기적 배열을 인위적으로 조절해 합성해 고성능 반도체, 레이저, 디스플레이 산업에 널리 활용된다. 대표적으로 발광다이오드(LED) 기술은 질화갈륨 등 화학물질을 수 나노미터 층으로 반복 구성한 초격자 구조를 통해 완성됐다.

그런데 기존 초격자 구조 소재는 강한 공유 결합으로 인해 2차원 반도체에는 활용되기 어려웠다. 여러 반도체 중 두께가 거의 없는 2차원 반도체는 초소형ㆍ저전력 전자기기 구현의 핵심 소재로 꼽힌다. 하지만 이제까지 층간 약한 상호작용으로 2차원 반도체를 원자 단위에서 두 종류 이상 쌓아 제어하는 기술은 구현되지 못했다.

연구팀은 접합 기술을 연속으로 사용, 서로 다른 원자층 반도체가 9층까지 반복되는 반도체 초격자 구조를 처음으로 구현했다. 연구진은 금속유기화학증착법을 이용해 2차원 반도체인 이황화몰리브덴(MoS2), 이황화텅스텐(WS2), 이셀레늄화텅스텐(WSe2) 등을 종류와 순서를 제어해 쌓아 새로운 구조를 가진 인공 반도체 소재를 개발해냈다.

연구진이 개발한 2차원 반도체 초격자 구조 성장법을 이용하면 원자층 수준에서 원자 종류와 주기의 인위적 제어가 가능하다. 이는 새로운 인공 물질을 자유자재로 디자인함으로써, 다양한 전자 구조를 갖는 반도체 기술로 이어질 수 있다.

연구팀은 또 밸리(valley)라는 전하의 새로운 자유도 저장도 확인했다. 밸리는 2차원 반도체 초격자 구조에서 양자 정보의 매개체로 이용될 수 있다. 모든 단일층의 2차원 반도체 소재는 밸리 자유도를 가져서 2가지 이상 값을 동시에 나타내거나 병렬 연산이 가능한 양자 정보를 저장할 것으로 기대됐다. 연구팀은 초격자의 반복 횟수와 저장되는 양자 정보가 비례하고 이 정보가 남아 있음을 확인했다. 이로써 새로운 반도체 초격자가 양자 정보 연산이 가능한 양자 반도체 플랫폼에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

조문호 부연구단장은 "2차원 반도체 초격자 구조는 현대 전자 소자 또는 광소자 반도체 기술에 새로운 방향성을 제시할 것"이라며 "향후 차세대 양자컴퓨팅 소자 분야의 원천 기술 중 하나가 될 수 있다"고 말했다.

이번 연구는 세계적 학술지 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology, IF=39.213)지(誌)에 지난 16일자로 게재됐다.

김봉수 기자 bskim@asiae.co.kr