삼성전자 "차세대 V7 낸드에 더블스택 적용"

삼성전자 낸드플래시 제품(자료사진)

[아시아경제 이창환 기자] 삼성전자가 차세대 낸드플래시에 '더블 스택' 기술을 도입할 계획이라고 1일 밝혔다. 양산은 내년부터 시작할 예정이다.

삼성전자는 전일 온라인으로 개최한 투자자 포럼에서 차세대 낸드인 V7에 더블 스택 기술을 적용한다고 발표했다.

낸드는 저장 단위인 셀을 수직으로 높이 쌓아 올릴 수록 저장 공간이 커지기 때문에 차세대 낸드일수록 고단화가 이뤄진다.

낸드 세계 1위인 삼성전자는 전류가 흐르는 구멍을 한번에 뚫어 단일로 셀을 쌓는 싱글 스택으로 낸드를 제조해왔다. 싱글 스택은 구멍을 두번 뚫어야 하는 더블 스택에 비해 효율성이 좋지만 기술 난도가 높아 최신 낸드 제조에는 세계에서 유일하게 삼성전자만 상용화한 기술이다. 그러나 128단 이상에서부터는 여러가지 여건을 고려해 더블 스택 기술을 이용할 계획이다.

한진만 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 전일 포럼에서 "차세대 V낸드에 더블 스택 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 '싱글 스택' 기술로 128단을 적층하는데, 더블 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산해 256단 적층까지 가능하다"고 밝혔다.

한 전무는 "더블 스택 기술이 기존 대비 공정 수 증가로 단가가 최소 10% 오른다"면서도 "평범한 더블스택 기술이 아닐 것"이라고 했다.

삼성전자의 차세대 V7 낸드의 양산시점은 내년이다. 한 전무는 "낸드 수요는 스마트폰 5G 전환과 서버 SSD(솔리드스테이트드라이브) 수요로 2024년까지 약 30∼35％ 규모의 연평균 성장률을 보이고, D램은 모바일과 서버를 중심으로 15∼20％의 연평균성장률을 나타낼 것"이라고 설명했다.

이창환 기자 goldfish@asiae.co.kr