SK하이닉스, '개방형 혁신'…반도체 한계 돌파 공모전

▲SK하이닉스 반도체 혁신 아이디어 공모전 포스터.(제공=SK하이닉스)

[아시아경제 원다라 기자]SK하이닉스가 D램 미세공정·3D 낸드플래시 적층 기술 한계를 돌파할 아이디어를 공개 모집한다.

SK하이닉스는 '미래 반도체 혁신기술 아이디어 공모전'을 개최한다고 27일 밝혔다. 대한민국 국민이면 누구나 참여가능하며 다음 달 31일까지 메모리반도체 기술 변화에서 새로운 아이디어가 필요한 8개 주제에 대한 아이디어를 공모전 웹사이트에 게재하면 된다. 주제는 D램 스케일링 한계 극복을 위한 새로운 셀 구조, 100층 이상 적층 시3D 낸드 층별 집적도 증가를 위한 새로운 구조 등이다.

수상작은 9월에 발표된다. 최우수 아이디어(1건) 제출자에는 5000만원, 우수 아이디어(2건) 제출자에는 각 2000만원 등 총 1억3000만원의 시상금이 지급된다. 학생 특별상인 열정상과 패기상도 마련해 장학금으로 각 5백만원을 전달한다. 심사는 SK하이닉스 미래기술연구원 내 심사 위원회가 맡는다. 심사위원회 위원들은 D램, 낸드플래시, 신소재 등 분야별 박사급 전문가들로 선발됐다.

SK하이닉스는 개방형 혁신으로 반도체 기술력을 한층 향상시켜나간다는 계획이다. SK하이닉스는 공모된 아이디어가 지식재산으로서의 가치가 인정되는 경우 제안자와 그 권리를 공유하고 검증이 필요한 우수 아이디어는 추가로 연구비를 지원할 예정이다.

공모전을 준비한 홍성주 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장은 "이번 공모전이 우리나라 반도체 산업 종사자들의 역량을 결집하여 미래를 준비하는 또 하나의 좋은 소통의 기회가 되었으면 한다"며 "이번 공모전에 많은 관심과 참여를 기대한다"고 말했다.