김진우기자
김기남 삼성전자 종합기술원 원장이 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 2010 IEDM(반도체학회)에서 '미래 실리콘 기술 전망: 도전과 기회'를 주제로 기조연설을 하고 있다.
김기남 원장은 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 2010 IEDM(반도체학회)에서 '미래 실리콘 기술의 전망'이란 제목의 기조연설을 통해 이같이 전망했다. 김기남 원장은 "D램과 플래시메모리, 로직 디바이스 등 실리콘 기술이 여러 도전들에 직면해 있는 것은 사실"이라면서도 "10 나노미터 이하로 계속 발전해 가는데 한계는 없을 것"이라고 예측했다.그는 "스마트 디바이스의 등장으로 2020년경에는 컴퓨팅 파워와 저장 용량이 현재보다 60배 이상이 요구될 것"이라며 "이를 충족시키기 위해 저전력, 고용량, 고집적도의 실리콘 기술은 앞으로 더욱 발전할 것"이라고 말했다.실리콘 기술의 한계와 관련해 "신공정, 신구조, 신물질을 통해 극복될 수 있을 것"이라며 "실제로 새로운 구조를 적용한 3D 낸드, 새로운 물질을 도입한 리램(ReRAM) 등 차세대 실리콘 기술이 대표적 사례"라고 설명했다. 이어 ""실리콘 기술과 화합물 반도체, 광기술 등이 융합된 새로운 기술이 부상하게 될 것"이라며 "바이오헬스, 에너지, 자동차, 로봇 등 여러 분야에 융합기술이 적용돼 미래 실리콘 산업의 새로운 성장엔진이 될 수 있을 것"이라고 덧붙였다.김진우 기자 bongo79@<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>