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'반도체 기술 유출' 삼성전자 전 연구원 구속영장 기각

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"성실 태도·증거 상당수 확보…방어권 보장"

반도체 기술을 중국으로 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전 연구원이 구속을 면했다.


서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의를 받는 삼성전자 전 연구원 A씨에 대한 구속영장을 16일 기각했다.

'반도체 기술 유출' 삼성전자 전 연구원 구속영장 기각 [이미지출처=연합뉴스]
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법원은 "A씨가 별다른 범죄 전력이 없고 주거가 일정하며 수사에 성실히 응해온 점과 관련 증거들이 상당수 확보된 점을 고려했다"며 "A씨의 심문 태도와 변호 내용 등을 감안할 때 현 단계에서 구속의 필요성이 인정된다고 보기 어렵다"고 했다. 또 "범행에 대해 법리적으로 다툴 여지가 있고 현재까지 진행된 수사 진행 상황에 비춰 볼 때 A씨에게 방어권을 보장해 줄 필요가 있어 보인다"고 기각 사유를 설명했다.


앞서 A씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국의 반도체 업체인 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다. 청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지낸 최모씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 세운 회사다.



이날 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)에서 경찰은 A씨로부터 압수한 20나노의 상위 기술인 18나노 D램 공정 설계 자료 일부와 16나노 D램 개발 계획 서류를 재판부에 제출하며 사안이 중대하다고 강조했다. 경찰은 청두가오전이 국내 반도체 인력을 대거 빼낸 정황도 포착해 수사를 확대하고 있다.




김영원 기자 forever@asiae.co.kr
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