DB하이텍, 에이프로세미콘과 GaN 전력 반도체 개발 맞손

2024년까지 GaN 전력 반도체 파운드리 공정 기술 개발 협력

임종현 에이프로세미콘 대표(왼쪽)와 조기석 DB하이텍 파운드리영업본부장이 GaN 전력반도체 파운드리 공정기술 개발 업무협약 체결 후 기념사진을 촬영하고 있다. / 출처=DB하이텍

[아시아경제 김평화 기자] DB하이텍은 국내 팹리스(반도체 설계) 기업인 에이프로세미콘과 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 협력을 위해 양해각서(MOU)를 체결했다고 22일 밝혔다.

양사는 올해부터 2024년까지 GaN 전력 반도체의 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기술을 개발하는 데 협력한다. GaN 전력 반도체 제품 대응을 위한 핵심 공정을 함께 개발해 확보한 기술을 각자 사업에서 활용하는 식이다. DB하이텍은 에이프로세미콘이 제조하는 8인치 GaN 에피 웨이퍼 제품 적용을 포함해 포괄적인 협력 관계를 구축할 계획이다.

DB하이텍은 파운드리 사업 확대를 위해 GaN, 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체 사업을 차세대 성장 동력으로 선정하고 연구개발(R&D)을 진행하고 있다. GaN 전문 팹리스와의 기술 협력으로 차세대 전력 반도체 시장에 빠르게 진입할 계기를 마련했다는 평가다. 수요처 확보에 따른 안정적인 매출 창출도 기대할 수 있게 됐다.

에이프로세미콘은 이번 협약을 바탕으로 안정적인 파운드리 파트너를 확보, GaN 전력 반도체 사업 분야를 키울 수 있게 됐다. 양사가 개발하는 8인치 GaN 전력 반도체 기술은 DB하이텍이 보유한 8인치 공정 장비에서 호환이 가능한 만큼 안정적인 파운드리 생산으로 이어질 수 있다. DB하이텍과의 협력으로 자체 소자 개발과 관련한 기술력을 인정받게 됐다.

DB하이텍은 협력 기간에 에이프로세미콘의 GaN 에피웨이퍼를 구매해 사용할 예정이다. GaN 에피웨이퍼는 높은 해외 수입 의존도를 보이는 핵심 소재로, 에이프로세미콘은 웨이퍼를 직접 생산하고자 2020년 국내 최초로 GaN 전력 반도체용 8인치 MOCVD 양산 장비를 국내로 도입해 생산을 시작한 바 있다. 이번 협약을 통해 8인치 GaN 에피웨이퍼의 국산화 결실뿐 아니라 매출 성과도 이어질 예정이다.

DB하이텍 관계자는 "에이프로세미콘과의 이번 기술 협력으로 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다. 소재(에이프로세미콘)와 부품(DB하이텍), 장비(에이프로)로 이어지는 밸류체인을 형성해 주요 핵심 기술의 국산화와 내재화 등의 부가적인 시너지도 기대한다는 설명이다.

GaN 시장은 올해 2억7000만달러에서 2027년 20억달러로 연평균 49% 고성장이 전망되고 있다. 스마트폰과 각종 IT 기기의 급속 충전 및 데이터센터 등에서 수요가 급증할 것으로 예상된다.