엘피다, 7월부터 25나노 D램 양산

[아시아경제 공수민 기자] 일본 반도체 업체 엘피다 메모리가 오는 7월부터 회로 선폭 25나노미터(나노=10억분의1)의 D램을 양산할 계획이라고 2일 니혼게이자이 신문이 보도했다.

엘피다는 이를 통해 글로벌 시장 선도업체인 삼성전자를 따라잡는다는 방침이다.

신문에 따르면 엘피다는 오는 7월부터 히로시마 공장에서 회로 선폭 25나노미터의 D램 2GB 제품을 대량 생산하기 시작하고, 4GB 제품은 연내 생산을 시작할 계획이다.

25나노 D램은 30나노급을 생산할 때 보다 웨이퍼 한 개당 반도체 생산량이 증가하기 때문에 생산 비용을 30% 가량 낮추는 효과를 낼 수 있다.

신문은 "엘피다가 지난 10년 동안 반도체 기술 개발과 생산에서 삼성전자에 선두를 빼앗겨 왔고 30나노 D램 양산에도 삼성전자에 약 6개월 뒤졌지만, 20나노급 생산은 엘피다가 처음이 될 것"이라고 전했다.

공수민 기자 hyunhj@