삼성전자, 일 차세대 LCD 기술 특허 라이선스 체결

[아시아경제 박지성 기자]삼성전자가 일본과학기술진흥기구(JST)로부터 차세대 액정표시장치(LCD) 산화물 관련 특허를 확보했다.

삼성전자는 21일 JST와 고성능 박막 트랜지스터(IGZO TFT)의 특허 라이센스 계약을 맺었다고 밝혔다.

호소노 히데오(細野秀雄) 도쿄공업대 교수가 JST의 지원을 받아 개발한 이 TFT는 '인듐(In)-갈륨(Ga)-아연(Zn)-산소(O)'를 재료로 만든 투명 비결정 산화물 반도체(TAOS)로 수소화 비결정 실리콘(Si)으로 만든 기존의 비결정 반도체 보다 전자 이동 속도가 10배 이상 향상된 것으로 알려졌다.

삼성전자 관계자는 "이번 라이선스는 산화물 반도체 LCD 개발을 위한 제반 기술 확보 차원에서 이뤄졌다"며 "이 기술은 LCD 제품의 속도를 높이고 고화질을 구현하는데 사용된다"고 설명했다.

삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 산화물 반도체 기술을 적용한 70인치 초고화질(UD) 240Hz LCD 패널을 개발해 선보인바 있다. 이번에 확보한 특허는 이 제품을 비롯한 대형 디스플레이 제품 성능 향상에 사용 될 예정이다.

박지성 기자 jiseong@