하이닉스 '30나노급 D램 양산..연말 40%목표'(종합)

[아시아경제 김진우 기자]하이닉스반도체가 1분기 30나노미터급(㎚) D램 양산에 돌입하는 한편, 연말까지 30나노급 공정 비율을 40%까지 끌어올린다는 목표를 밝혔다. 낸드플래시도 올 하반기까지 20나노 제품 개발을 완료하고 내년 양산 계획을 재확인했다.권오철 하이닉스 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회를 마친 후 기자간담회에서 "38나노 D램은 작년에 개발을 완료하고 1분기 양산을 개시한다고 했는데 계획대로 소량을 양산하고 있다"면서 "의미 있는 생산량은 2분기에도 많지 않을 것 같고 하반기 공급을 본격적으로 하겠다"고 밝혔다.권 사장은 또 "30나노급 공정을 해 보니까 어렵긴 어렵다. 저희뿐만 아니라 경쟁사(삼성전자)도 어려워한다"면서 "하지만 연말까지 30나노급 비중 목표 40%를 달성하겠다"고 덧붙였다.권 사장은 낸드플래시와 관련해 "작년 26나노 낸드플래시 개발을 완료하고 금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다"면서 "내년에 양산을 시작해서 의미 있는 생산이 되도록 하겠다"고 말했다.권 사장은 1분기 실적 전망에 대해 "D램과 낸드플래시의 생산이 늘어나 매출액은 이전분기대비 큰 변화는 없을 것"이라며 "구체적으로 말씀드릴 수는 없지만 IFRS(국제회계기준) 도입으로 회계상 영업이익은 감소할 것"이라고 답했다.D램 및 낸드플래시 시황과 관련해 그는 "계절적 요인 등 현재 저점은 지난 것이 아닌가 조심스럽게 생각한다"면서 "앞으로 일본 사태가 어떻게 수습되느냐에 따라 다소 영향을 받겠지만 전반적으로 D램과 낸드플래시 모두 우호적인 시장 여건이 조성되지 않을까 한다"고 말했다.아울러 권 사장은 차입금 감소 목표와 관련해 "애초 6000억원을 줄인다고 했는데 숫자에 집착할 필요는 없지만 현금 여유가 있다면 부채 규모를 꾸준히 낮추는 게 맞다"면서 "현재 총 부채(5조9000억원)가 이비타(EBITDA, 6조원) 이하 수준으로 안정돼 있다. 초과 이익이 발생한다면 무조건 부채수준을 낮추지는 않겠지만 필요시 추가 감축은 가능하다"고 말했다.한편 하이닉스는 이날 주총에서 이달곤 전 행정자치부 장관 등 4명을 사외이사로 신규 선임했다. 또 이사(사내이사 4명, 사외이사 9명)의 보수한도를 작년 40억원에서 올해 50억원으로 늘리는 안건과 주당 150원의 현금배당 의결 안건을 상정했다.김진우 기자 bongo79@<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>