美 국제반도체기술학회서 7나노 S램 공개…EUV 기술적용
[아시아경제 김은별 기자] 시스템반도체 부문에서 그동안 기술 한계로 여겨졌던 '7나노' 시대가 성큼 다가왔다. 7나노 미세공정을 적용한 S램 기술이 속속 공개되고 있기 때문이다. S램은 중앙처리장치(CPU)의 캐시 메모리로 활용된다. 통상 S램 개발이 완료되면 같은 공정의 시스템반도체도 조만간 양산에 들어간다. 이에 따라 스마트폰 두뇌인 AP(애플리케이션프로세서)가 현재 10나노에서 7나노로 진화하는 등 반도체 부문에서 또 한번의 기술 혁신이 이뤄질 전망이다.
삼성전자는 8일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체기술학회(ISSCC)에서 7나노 핀펫 미세공정을 적용한 S램 기술을 공개했다. 앞서 삼성전자는 10나노 핀펫 S램을 2015년 말 공개한 바 있으며, 그로부터 1년 정도 지난 지난해 말부터 10나노 AP를 양산하기 시작했다. 세계 최초로 10나노 AP 양산에 성공한 삼성전자는 미국 인텔과 대만 TSMC를 따돌리며 이 부문 선두에 올라섰다. 이번에도 7나노 S램 기술을 공개한 만큼 머잖아 7나노 AP 양산에 돌입해 경쟁사들과의 기술 격차를 더욱 벌릴 것으로 기대된다.
이번 7나노 S램은 빛의 파장이 13.5나노미터(nm)에 불과한 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 기술을 활용했다. 지금까지는 이머전 불화아르곤 기술을 사용해 회로를 두 번, 세번 그려넣는 방식을 사용했지만 이제는 파장이 짧은 EUV로 한 번에 미세한 회로 패턴을 그려넣을 수 있다.
덕분에 S램의 셀 면적은 약 32.5% 가량 줄어든다. 셀 면적이 줄어든 만큼 캐시 메모리 용량을 더 늘리거나 전력 소비량을 낮아진다. 결국 이같은 공법을 AP에 적용하면 지금보다 전력 소비량이 줄어들어 스마트폰의 멀티미디어 성능이 크게 향상될 수 있는 것이다. 업계 관계자는 "7나노 기술을 확보한 것과 양산은 다른 문제"라며 "수익성을 확보해 상용화를 하는 시점이 중요하다"고 전했다.
김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr
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