[단독]삼성전자, 6세대 D램 조기개발…'퀀텀점프' 노린다

오는 6월까지 1c 개발 성공 목표
성공시 경쟁사들과 '초격차' 더 벌릴 듯

[이미지출처=연합뉴스]

단독[아시아경제 김진호 기자] 삼성전자가 오는 6월까지 10나노 초반대 D램인 1c(6세대·11~12나노급) 개발을 성공적으로 마무리한다는 목표를 설정한 것으로 확인됐다. 1b(5세대·12~13나노급) 개발에 대한 '기술력 우려'를 깔끔히 지우는 동시에 이른바 '퀀텀점프(대도약)'로 세계에 삼성의 '초격차' 전략을 재확인시키겠다는 각오로 읽힌다.

14일 아시아경제 취재 결과 삼성전자에서 반도체 개발을 맡고 있는 반도체연구소는 1c에 대한 연구개발(R&D)을 반드시 성공해야 한다는 내부 지침을 정한 것으로 확인됐다.

앞서 삼성전자는 최근 반도체 연구를 진행하던 임직원들을 대상으로 1b 개발의 '스킵·드롭(포기)' 안내를 공지한 바 있다. 내부 사정에 정통한 관계자는 "통상 여러 세대에 대한 반도체 개발을 동시에 진행하는 구조"라며 "1b 개발이 무산됨에 따라 1c는 무조건 확보하는 방안이 추진되고 있는 상황이다"고 전했다.

삼성전자가 1b 포기 결정 이후 곧바로 1c 개발을 서두르는 것은 SK하이닉스와 마이크론 등 후발주자와의 간격을 더욱 벌리려는데 목적이 있다. 경쟁사보다 길게는 5년, 짧게는 1~2년 앞선 압도적 기술력과 낮은 원가로 30년간 시장을 평정해온 삼성의 '초격차' 전략을 이어가겠다는 의지로 풀이된다.

실제 삼성전자는 과거 28나노 D램 양산을 포기하고 곧바로 25나노로 점프한 전례가 있다. 당시보다 훨씬 정밀화된 10나노 급에서는 쉽지 않다는 분석이 많으나, 삼성전자가 1b, 1c 등 여러 세대를 동시에 개발한 점 그리고 개발 시한을 6월로 못 박은 점을 볼때 실현 가능성이 높다고 판단한 것으로 분석된다.

1a(4세대·10나노급) D램 양산 과정에서 '최초' 타이틀을 뺏긴 점도 삼성전자 입장에서는 1c 성공에 거는 기대감이 클 수밖에 없다. 당시 미국의 마이크론과 SK하이닉스가 더욱 빨리 양산에 성공해 삼성전자 입장에서는 자존심을 구겼다는 평가가 나왔다. 다만 삼성전자는 두 경쟁사보다 더 얇은 1a D램 양산에 성공했다.

한편 D램은 회로 선폭(트렌지스터 게이트의 폭)을 좁히는 것이 관건이다. 선폭이 좁을수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 D램 생산량이 늘어나기 때문이다. 일반적으로 4세대인 1a D램은 3세대(1z)와 비교해 25% 높은 생산량을 보인다. 제품 성능과 소비전력도 함께 개선되는 효과를 얻을 수 있다.

업계의 한 관계자는 "삼성전자가 1c 개발에 성공할 경우 생산성과 원가경쟁력 차원에서 높은 수익을 얻게될 것"이라며 "1b 개발을 중도 포기한 만큼 1c 개발 성공을 위해 모든 인력과 자원을 총투입할 것으로 보인다"고 말했다.