SK하이닉스, 기존보다 4배 이상 빠른 초고속 D램 개발

전력 소비는 40% 낮춰

HBM과 SoC를 결합한 SiP

[아시아경제 박민규 기자] SK하이닉스가 업계 최초로 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) 제품을 개발하는 데 성공했다고 26일 밝혔다.

이 제품은 국제 반도체 표준 협의기구인 공동전자기기기술위원회(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능·저전력·고용량 D램이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps(1초에 1기가비트 데이터 전송) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능하다.

특히 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르면서 전력 소비는 40% 가량 낮췄다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터·네트워크·서버 등에 응용될 전망이다.

SK하이닉스는 이번에 개발을 완료한 HBM을 내년 하반기부터 본격 양산할 계획이다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 쌓았다. TSV는 2개 이상의 칩을 수직으로 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 방식이다. 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.

기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동 개발을 진행했다. 이를 바탕으로 내년 상반기 중 견본을 고객들에게 전달할 계획이다. HBM을 시스템온칩(SoC)와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 시스템인패키지(SiP) 형태로 공급할 예정이다.

홍성주 SK하이닉스 D램개발본부장 전무는 "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다"고 말했다.

박민규 기자 yushin@asiae.co.kr