삼성·하이닉스, 올해 20나노급 D램 시대 연다

[아시아경제 김진우 기자]전 세계 메모리반도체 시장을 선도하고 있는 삼성전자와 하이닉스반도체가 올해 사람 머리카락 4000분의 1 굵기의 얇은 회로선으로 제조한 미세공정 D램 시대를 열 전망이다. 두 회사는 각각 올 상반기와 하반기 20나노미터(㎚) 공정을 적용한 D램을 양산할 것으로 예측된다.

일본의 엘피다와 미국의 마이크론, 난야 등 대만 D램업체들은 아직까지 50∼60나노급의 공정 수준에 머물고 있어 올해 국내업체와 해외업체 간의 격차는 더욱 벌어질 것으로 예상된다. 반도체 제조공정이 미세화 될수록 반도체 칩의 크기를 줄일 수 있어 웨이퍼 당 생산되는 반도체 수가 늘어나 제품 생산 비용을 낮출 수 있다. 또 성능이 향상되는 동시에 소비전력도 낮아져 반도체 업체들은 앞다퉈 미세공정 도입에 발 벗고 나서고 있는 상황이다.

11일 업계에 따르면, 삼성전자는 2009년 7월과 지난해 7월 각각 40나노급, 30나노급 공정에서 D램 양산에 돌입한데 이어 이르면 올해 2분기께 20나노급 D램 공정 개발을 완료하고 양산에 돌입할 것으로 예측된다. 삼성전자는 미세화 공정 핵심 장비 수급문제도 해결한 것으로 알려져 이같은 전망에 힘을 실어주고 있다.

권오현 삼성전자 반도체사업부 사장은 최근 "20나노 제품은 어느 회사 제품이 먼저 나오는지 보면 알 수 있을 것"이라며 "미세공정의 핵심 장비 수급 문제도 해결됐다"고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 올해 메모리반도체에 5조8000억원을 투자하는 등 적극적인 시장 공략으로 D램 반도체 세계 최초의 역사를 이어갈 수 있을 것으로 전망된다.

하이닉스도 올 1분기 30나노급 D램 양산에 돌입한 뒤 하반기 20나노급 D램을 개발·양산해 후발업체와의 격차를 벌리겠다는 전략이다. 하이닉스는 올해 총 3조4000억원을 투자해 시장 경쟁력을 강화한다는 방침이다. 회사 관계자는 "올해 기술력과 제품력, 원가경쟁력 부분에서 세계 최고 수준에 도전한다는 목표 아래 1분기 30나노급 D램 양산을 시작한다"면서 "하반기에는 20나노급 D램을 개발·양산할 계획"이라고 말했다.