삼성 반도체 국가핵심기술 등 하이닉스로 무더기 유출

檢, 장비업체 통한 영업비밀 유출 첫 적발

[아시아경제 이승국 기자] 삼성전자의 반도체 국가핵심기술 등을 빼내 경쟁사인 하이닉스로 유출시킨 미국 반도체 제조장비 업체 직원 등이 무더기로 검찰에 적발됐다.

장비 업체를 통한 각종 영업비밀이 유출된 건 이번이 처음으로 삼성전자의 직접적 피해액은 수천억 원이지만 후발주자들의 기술격차 기간 축소 등 간접적 피해까지 감안하면 그 피해는 수 조 원에 이를 것으로 보인다.

서울동부지방검찰청 형사6부(부장 이중희)는 3일 미국에 본사를 둔 세계 1위의 반도체 제조장비 업체인 A사가 삼성전자의 반도체 국가핵심기술 52건을 비롯한 중요기술 94건을 불법 취득해 그 중 일부를 하이닉스에 누설한 혐의로 반도체 장비업체 A사 부사장 곽모씨와 A사 한국법인의 팀장 김모씨를 구속기소하고 신모씨 등 이 업체 직원 7명을 불구속기소했다.

검찰은 또 이들로부터 영업비밀을 건네받은 하이닉스 전무 한모씨를 같은 혐의로 구속기소하고, 삼성전자 과장 남모씨 등 비밀 유출에 가담한 두 회사 직원 8명을 불구속기소했다.

삼성전자 수석연구원으로 근무했던 나모씨는 재직 당시 삼성전자 기밀을 A사 한국지사에 유출한 후 A사로 이직했지만 미국에 머물며 출석 요구에 불응, 체포영장 발부받아 지명수배했다.

검찰에 따르면 기술유출을 주도한 곽씨는 삼성전자에 출입하는 한국지사 직원들과 공모해 2005년 3월께부터 2009년 12월께까지 국가핵심기술 52건을 포함한 핵심기술 94건을 불법 취득하고, 그 중 13건을 경쟁사인 하이닉스에 누설한 혐의를 받고 있다.

하이닉스 제조본부장인 한씨(구속)는 부하 직원들과 공모해 2005년 12월께부터 2009년 12월께까지 A사 등 자사에 반도체 제조장비를 납품하는 업체들로 구성된 회의체 등을 통해 D램 및 낸드 플래시 반도체 관련 삼성전자의 반도체 국가핵심기술 4건 등 총 9건의 핵심기술을 불법취득한 혐의를 받고 있다.

삼성전자 과장 남씨(구속)는 2008년 4월 미국 실리콘밸리에서 자사의 영업 비밀인 D램 및 플래시 반도체 개발 계획 등 총 11건을 A사 한국지사 직원에게 넘겨준 혐의를 받고 있다.

검찰 조사 결과 하이닉스는 상대적으로 우월한 지위를 이용해 A사의 한국지사에 삼성전자의 핵심기술을 요청, 불법 취득한 것으로 드러났다.

삼성전자 유출 기술 중에는 D램 68, 56, 46 나노 제품 및 낸드 플래시 63, 51, 45, 41, 39 나노 공정순서, 사용 설비, 사용된 물질 정보 등 국가핵심기술만 52건이었다고 검찰은 설명했다.

검찰 관계자는 "장비 회사를 통한 신종 기술 유출은 반도체 분야 뿐 아니라 자동차ㆍ휴대폰ㆍLCDㆍ컴퓨터 등 유사한 구조를 가진 모든 분야에서 범죄 발생이 가능하다"며 "유사 분야 업체에 대한 보안의식 강화 조치 및 재발방지 대책을 마련할 필요가 있다"고 말했다.

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