삼성전자가 세계 최초로 40나노(1나노 : 10억분의 1m)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품을 양산 개시했다고 21일 밝혔다.
삼성전자는 지난 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발했으며 이달 본격 양산에 들어갔다. 새 제품은 삼성전자가 지난해 9월 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상된 것이다.
또 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다.
회사 측은 40나노급 D램을 조기 양산을 통해 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2기가비트 DDR3 D램과 함께 제품 라인업을 더욱 강화하게 됐다고 설명했다.
새 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 동작전압이 1.35V다. 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 가량 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) ▲노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.
반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 전망이다.
삼성전자 관계자는 "2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다"고 말했다.
우경희 기자 khwoo@asiae.co.kr
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