[아시아경제 임철영 기자]광전자가 29일 미래창조과학부, 한국전자통신연구원과 6인치 FAB을 기반으로 한 에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC다이오드 개발과 관련한 기술제휴 계약을 체결했다고 공시했다. 개발기간은 내년 5월31일까지다. 임철영 기자 cylim@asiae.co.kr<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>
증권부 임철영 기자 cylim@asiae.co.krⓒ 경제를 보는 눈, 세계를 보는 창 아시아경제
무단전재, 복사, 배포 등을 금지합니다.