[아시아경제 강희종 기자]전세계 반도체 기업들의 미세 공정 경쟁이 한창인 가운데 삼성전자가 오는 5월 24일 8나노미터(nm)와 6나노미터(nm) 로드맵을 공개할 예정이어서 주목된다.
삼성전자는 16일 글로벌뉴스룸을 통해 "현재 로드맵상에 8나노와 6나노 공정 기술이 있다"며 "5월24일 미국에서 열리는 삼성파운드리포럼에서 삼성 파운드리 로드맵과 구체적인 기술들을 고객에게 공개할 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 "8나노와 6나노는 최신 10나노와 7나노 기술의 혁신성을 모두 계승하면서 고객들의 요구를 만족시키고 가격 경쟁력도 갖출 것"이라고 강조했다. 8나노와 6나노 공정은 확장성과 성능, 전력 측면에서 모두 개선될 것이라는 점도 밝혔다.
한편, 삼성은 현재 고객 수요에 대응해 10나노 핀펫의 수율이 점증적으로 개선되고 있다고 설명했다. 삼성은 1세대 10나노 LPE(Low Power Early) 공정으로 현재까지 7만장의 웨이퍼를 출하했다고 설명했다.
삼성전자는 지난해 10월 세계 최초로 10나노 핀펫(FinFET) LPE 양산을 시작한 바 있다. 퀄컴의 최신 애플리케이션프로세서(AP) 스냅드래곤 835와 삼성전자의 엑시노스9이 10나노 공정을 통해 만들어지고 있다.
윤종식 삼성전자 시스템LSI 사업부 파운드리 사업팀장(부사장)은 "삼성의 10나노 LPE는 파운드리 산업의 게임체인저"라며 "10나노 LPE의 뒤를 이어 올해 말과 내년 초에 각각 10나노 LPP(Low Power Plus)와 10나노 LPU(Low Power Ultimate)의 양산을 시작할 것"이라고 설명했다.
강희종 기자 mindle@asiae.co.kr
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