하이닉스 "20나노로 삼성전자 따라잡겠다"

권오철 신임 사장 "기술력으로 위상 다질것" 자신감

[아시아경제 황상욱 기자] 반도체 업계의 '나노 전쟁'에 다시 불이 붙었다. 하이닉스반도체가 신임 대표이사의 취임과 함께 본격적인 행보에 들어서며 세계 1위 삼성전자에 도전장을 던졌다.

30일 반도체 업계에 따르면 올해 삼성전자와 하이닉스는 각각 메모리 반도체에 5조5000억원, 2조3000억원을 투자할 예정이다. 양사만 합쳐 무려 7조8000억원에 달하는 규모다.

이미 하이닉스는 공장 증설 등에 5000억원 정도를 투자한다고 밝혔고 삼성도 지속적으로 투자금액을 집행 중이다. 하이닉스는 특히 30나노대 제품을 올 하반기부터 본격적인 양산에 들어갈 것이라고 밝히면서 불을 지폈다.

지난 29일 신임 대표이사로 취임한 권오철 사장은 취임사를 통해 "주력인 메모리 사업 부문에 집중해서 선두권 위상을 공고히 할 것"이라고 말했다.

현재 국내 반도체 업계의 나노(10억분의 1m) 기술은 세계 톱 수준이다. 해외 반도체 업체들과 비교했을 기술력은 물론, 물량에서도 가장 앞서 있어 글로벌 메모리 시장을 선도한다.

메모리는 크게 D램과 낸드 플래시로 나뉜다. D램은 전원이 꺼지면 저장된 사라지는 메모리로 일반적인 PC 등에 주로 사용된다. 전원이 없어도 데이터가 유지되는 플래시 메모리는 칩을 연결하는 방식에 따라 낸드와 노어로 나뉘는데, 낸드형은 제조단가가 싸고 용량이 커 디지털카메라 등에서 광범위하게 활용된다.

먼저 D램은 삼성전자가 한 발 앞서 있다. 삼성전자는 지난해 1월 40나노급 기술을 개발하고 7월부터 40나노급 2Gb 제품을 양산하기 시작했다. 올 2월 말부터는 40나노급 4Gb 제품도 내놨다. 30나노급 D램도 1월 개발을 완료하고 올 하반기에 양산할 예정이다.

반면 하이닉스는 지난해 하반기 40나노급 양산에 들어갔으나 아직 30나노급은 개발 중인 상황이다. 해외 업체 중에서는 일본의 엘피다가 40나노급을 양산 중이다.

낸드 플래시는 격차가 크게 줄었다. 삼성이 지난해 3월 30나노급을 양산하기 시작했고 9월 20나노급 제품을 개발해 올 상반기 중 양산을 시작할 예정이다.

하이닉스도 지난 2월에 20나노급 제품을 개발, 올 하반기부터 양산에 들어간다는 방침이다. 하이닉스 관계자는 "샘플 제작 등을 완료했고, 이르면 3·4분기 중 본격적인 양산에 들어갈 예정"이라고 말했다. 해외 기업 중에서는 마이크론이 지난 1월 말 20나노급 제품을 개발한 것으로 알려졌다.