김진우기자
권오철 하이닉스 사장
[아시아경제 김진우 기자]권오철 하이닉스 사장은 3일 "30나노급 D램과 20나노급 낸드플래시 제품의 본격적인 양산 체제를 구축하고, 20나노급 D램과 20나노급 초반 낸드 제품의 철저한 개발을 통해 초일류의 경쟁력을 확보할 수 있도록 총력을 기울여 주길 바란다"고 밝혔다.권오철 사장은 이날 오전 신년사에서 올해 중점 추진과제를 설명하면서 "메모리 가격 하락과 일부 제품의 공급과잉이 예상되는 치열한 경쟁환경 속에서 우리 회사가 선두에 설 수 있는 길은 기술 경쟁력 확보에 있었고, 최고 기술을 토대로 원가 우위가 확보돼야 수익을 창출하고 재무구조 안정화와 재투자로 이어지는 선순환이 가능하다"면서 이같이 말했다.권 사장은 또 "제품 포트폴리오를 강화해야 한다"면서 "스마트폰과 태블릿 PC 등 메모리 응용분야가 다변화 됨에 따라 메모리 수요가 표준화된 단품 위주에서 고객별로 차별화된 융복합 솔루션 제품으로 확대되고 있어 이러한 수요 변화는 우리에게 위기이자 기회"라고 말했다.이를 위해 하이닉스가 경쟁력을 갖추고 있는 메모리 신성장의 기회를 최대한 활용할 수 있도록 수요 변화에 맞춰 제품 포트폴리오를 선제적으로 강화해야 한다고 강조한 뒤, 모바일 D램 및 다양한 응용처에 적합한 낸드 솔루션 제품의 신속한 개발 및 제품 경쟁력 제고에 최대한의 노력을 경주해 주기 바란다고 당부했다.그는 이어 ▲고객 만족과 신뢰 확보 ▲사업운영의 효율성 제고 ▲모든 일을 더불어 함께, 미리미리, 지혜롭고, 철저하게 준비하고 실행하는 '하이닉스 웨이(Way)' 실천 ▲인재 경쟁력 강화 등을 이뤄나가자고 임직원들에게 당부했다.마지막으로 권 사장은 "'세계 최고의 메모리 반도체 회사'라는 꿈은 저절로 이뤄지는 것이 아니라 '우리' 모두의 노력과 헌신으로 만들어 가는 것"이라며 "'함께 더불어 성공하는 성공 공동체' 정신으로 모두가 힘을 합해 우리의 꿈을 향해 나가자. '오래가고 좋은 회사'를 만들자"고 강조했다.김진우 기자 bongo79@<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>