손선희기자
삼성전자가 개발비만 4조원을 투입한 반도체 핵심 기술을 중국으로 빼돌려 현지 양산을 시도한 삼성전자 전직 임직원 2명이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.
27일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 중국 반도체회사 대표 최모씨(66)와 개발실장 오모씨(60) 등 2명을 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다고 밝혔다. 두 사람은 삼성전자에서 핵심 연구인력으로 근무한 이력이 있다. 특히 최씨는 삼성전자 임원을 거쳐 SK하이닉스 부사장까지 지내는 등 국내 반도체 제조 분야에서 30여년을 일하며 최고 전문가로 꼽혔던 인물이다.
최씨와 오씨는 국가핵심기술로 분류되는 D램 반도체 공정기술을 부정 사용한 혐의를 받는다. 글로벌 반도체 회사들도 통상 4~5년이 소요되는 20나노 D램 반도체 공정기술을 불과 1년 6개월 만에 개발, 중국에서 2번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했다. 이 과정에서 중국 지방정부로부터 4000억원을 투자받기도 했다. 만약 이들이 최종 양산에 성공했을 경우 그 피해는 최소 수십조원에 달했을 것으로 예상된다.
서울경찰청에서 사건이 송치된 이후 검찰 추가 수사를 통해 최씨가 중국 반도체 회사 지분 860억원 상당을 받고 보수 명목으로 18억원의 범죄수익을 취득한 사실도 밝혀냈다. 또 피고인들이 설립한 중국 반도체 회사가 조직적으로 범행을 계획·실행했다는 사실을 확인해 해당 회사도 추가 기소했다.
검찰 관계자는 "피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 적극 엄정 대응하겠다"고 말했다.