김수진기자
(왼쪽부터) 이상욱 건국대 물리학과 교수, 박영우 서울대 한-스웨덴 탄소기반나노구조 연구센터 교수 <br />
이번에 개발된 신개념 메모리 소자는 전기역학소자를 이용해 기존 플래시메모리보다 쓰고 지우는 속도가 최대 1000배 이상 빠르고, 전력소모 역시 획기적으로 낮다는 설명이다. '0'과 '1'신호만을 기억하는 플래시메모리와 달리 하나의 메모리셀에 여러 상태의 기억이 가능하고, 절연체에 전하를 통과시키는 방식 대신 금속판으로 접속단에 직접 접촉해 전력소모와 속도 역시 크게 향상됐다. 이번에 사용된 탄소나노튜브는 향후 실리콘을 대체할 수 있을 것으로 평가받는 유력한 차세대 물질이다. 탄소나노튜브 트랜지스터는 실리콘 트랜지스터 보다 응답속도가 매우 빠를 뿐 아니라 트랜지스터를 구동하는데 드는 에너지 또한 매우 낮은 것으로 알려져 있다.연구진에 따르면 새 메모리 소자는 삼성전자, 인텔 등에서 생산중인 플래시 메모리보다 수백배 이상 전력소모가 낮은 만큼 향후 대두되는 에너지 고갈 문제에 대한 해결책도 함께 제시하고 있다. 박영우 서울대 교수는 "이번 연구는 탄소기반 나노구조가 실리콘 반도체를 실제로 넘어설 수 있는 가능성을 보여주었다는 점에서 중요한 결과"라고 말했다. 이상욱 건국대 교수는 “그래핀 또는 탄소나노튜브를 이용한 나노 전기역학 시스템을 결합한 새로운 형태의 나노 소자를 개발해 반도체 분야에 응용할 수 있는 가능성을 탐구하는 후속 연구를 진행중"이라고 덧붙였다. 이번 연구성과는 ‘네이처 커뮤니케이션(Nature Communications)’지 1일자에 게재됐다.김수진 기자 sjkim@<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>