"영화 163편을 1초만에 처리" SK하이닉스, 업계 최초 'HBM3' 개발

SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램.(사진제공=SK하이닉스)

[아시아경제 정현진 기자] SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 'HBM3'를 업계 최초로 개발했다. 고성능 데이터센터 등에 탑재되는 제품으로 5GB 용량의 풀HD급 영화 163편을 1초에 처리할 수 있는 초고속 D램이다.

20일 SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 2세대 HBM에서 일부 성능을 개선한 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발했다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 인공지능(AI), 머신러닝 등의 분야에서 쓰이는 슈퍼컴퓨터 등에 사용된다.

HBM은 1세대(HBM) ? 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E) 순으로 개발돼 왔는데 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 HBM 기술 개발에 속도를 내왔다. SK하이닉스는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론 품질 수준도 크게 높였다"고 설명했다.

HBM3는 1초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있는 제품이다. 이는 5GB 용량의 풀HD급 영화 163편에 해당하는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌으며, DDR4 D램에 비해서는 데이터 처리속도가 33배, DDR5보다는 16배 빠르다. 이 제품에는 오류정정코드가 내장돼 있어 이 코드를 통해 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결해냈다. TSV 기술은 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.

앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며 AI의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다. 양산은 HBM3 D램 지원하는 시스템 출시에 맞춰서 내년 중반쯤 시작될 것으로 예상된다.

SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하면서 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에 부합하는 제품을 공급해 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다"고 말했다.