김형민기자
DB하이텍은 다음 달 6∼8일(현지시간) 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대 전력 반도체 전시회 'PCIM 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다.
DB하이텍 부천캠퍼스. 사진=DB하이텍 제공
회사는 전시에서 미래 성장 동력으로 삼은 실리콘카바이드(SiC)·갈륨나이트라이드(GaN) 전력반도체 공정을 주축으로 소개할 예정이다. DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼 기본 특성을 확보했고 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐 올해 말 고객사에 공정을 제공할 계획이다.
GaN 8인치 공정은 650V 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 특성을 확보하고 올해 내로 신뢰성 확보를 마칠 예정이다. 반도체·전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면 글로벌 SiC·GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억달러에서 2027년 76억달러까지 연평균 27.6%의 성장률을 보일 것으로 전망된다. DB하이텍 관계자는 "팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받는 DB하이텍의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것"이라고 말했다.