삼성전자, 플래시 메모리 난제 해결…"기술 혁신·AI 진보 기대"

플래시 메모리 저장 원리 밝혀내
세계적 학술지에 관련 논문 게재

삼성전자가 그간 기술 난제였던 플래시 메모리 저장과 관련한 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다. 회사는 이번 성과가 플래시 메모리 미세화 한계를 극복하고 인공지능(AI) 등 핵심 기술 진보를 앞당기는 계기를 마련해줄 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 자사 혁신센터 CSE(Computational Science and Engineering)팀이 세계 정상급 학술지 '어드밴스드 머티리얼즈(Advanced Materials)'에 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다.

논문에 참여한 삼성전자 혁신센터 CSE팀과 SAIT(옛 종합기술원) 연구진 모습. 왼쪽부터 SAIT 양승열 마스터와 오영택 님, 혁신센터 CSE팀 김대신 상무, 최운이님, 손원준 파트장, 권의희 DE(Distinguished Engineer) / [사진출처=삼성전자 반도체 뉴스룸]

혁신센터 CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체 공정, 메모리를 비롯한 다양한 소자의 전기적 특성과 소재의 다양한 특성을 시뮬레이션하는 부서다.

이번에 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정적으로 저장되는 근본 원리를 밝혔고, 우수성을 인정받아 재료공학 분야 학술지인 Advanced Materials에 관련 논문을 게재했다.

플래시 메모리는 전원이 끊겨도 데이터를 보존할 수 있도록 해주는 메모리 반도체다. 삼성전자는 그간 연구 개발을 지속하며 플래시 메모리 기술 혁신을 이뤄왔다. 다만 원자 수준에서 플래시 메모리의 근본적인 저장 원리를 명확히 밝혀내는 데 어려움을 겪었다.

삼성전자 측은 "비정질 실리콘 질화물에 전자를 안정적으로 잡아 두는 것이 플래시 메모리 저장 원리이며 해당 연구 전까지는 저장 원리와 관련한 구체적인 내용이 밝혀지지 않아 기술적 부채였다"며 "이번 연구로 그동안 간과했던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 연구 의의가 있다"고 밝혔다.

또 "V낸드(플래시 메모리 종류인 낸드플래시)도 세대를 거듭하면서 고도의 미세화가 필요했던 상황"이라며 "원자 수준에서 일어나는 현상을 근본적으로 이해하는 것은 향후 메모리 개발 혁신에 꼭 필요한 과정"이라고 덧붙였다.

삼성전자는 V낸드가 진화할수록 더 저렴한 가격에 데이터를 저장할 수 있게 된다고 설명했다. 또 디지털 데이터가 풍부해질수록 AI가 학습할 데이터가 많아진다며 결국 낸드 기술 혁신이 AI와 같은 핵심 기술의 진보를 앞당기는 요인이 될 것이라고 전망했다.