SK하이닉스 "HBM 매출액 130억~170억불대…시장 수요 60% 성장"(종합)

SK하이닉스, 이천서 기자 간담회 진행
곽노정 사장 포함 AI 연관 임원진 참석

HBM 및 낸드, 메모리 시장 전망 긍정적
HBM3E 12단 제품 3분기 양산 예고

"(2016년부터 올해까지) 고대역폭메모리(HBM) 누적 매출액이 약 100억달러 중반대일 것으로 예상한다. 올해 이후 HBM 시장은 인공지능(AI) 수요 상승과 더불어 성장을 계속하면서 중장기적으로 연평균 60%의 수요 성장이 있을 것으로 전망한다."

곽노정 SK하이닉스 사장은 2일 경기도 이천 본사에서 열린 기자 간담회 중 질의응답 시간에 이같이 말했다. 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 이날 간담회에서 곽 사장은 "클라우드서비스제공사(CSP)의 AI 서버 투자가 확대하고 있고 AI 서비스 질도 올라가고 있기에 추가 수요로 인한 수요 가시성이 높아졌다"며 HBM 시장을 긍정적으로 평가했다.

SK하이닉스 "HBM 매출액 130억~170억불대…시장 수요 60% 성장"(종합)

곽노정 SK하이닉스 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. / [사진제공=SK하이닉스]

앞서 곽 사장은 지난 1월 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 전자·IT 전시회 'CES 2024' 간담회에서 기자들과 만나 AI 사업 계획을 한 차례 밝힌 바 있다. 이후 4개월여 만에 국내에서도 간담회를 개최, 적극적인 소통에 나섰다. 국내서 사장급 간담회가 열린 것은 이번이 처음이다.

이날 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당)과 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조·기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진도 참석했다.

곽 사장은 최근 삼성전자와 미국 마이크론 등 경쟁사의 시장 참여로 공급이 늘어나면서 생기는 우려와 관련해 "점점 더 과잉 공급에 대한 리스크는 줄어들 것"이라고 설명했다. HBM이 일반 D램과 달리 수요 기반으로 투자가 진행되는 데다 점차 맞춤형 제품으로 진화하고 있어 범용 제품과는 다른 사업 구조를 갖췄다는 게 그의 설명이다.

AI 반도체 경쟁력을 확보하는 데에는 오랜 시간이 필요했다는 회고도 했다. 곽 사장은 "SK하이닉스가 SK그룹에 편입된 2012년 이후 메모리 업황이 좋지 않다 보니 다수 기업이 투자를 줄이는 상황에도 SK하이닉스는 투자를 늘리기로 했었다"며 "당시 전 분야에서 투자를 확대하는 결정들이 이뤄졌고 거기에는 시장이 언제 열릴지 모르는 HBM 투자도 포함돼 있었다"고 말했다. 이어 "그 결과 2013년 HBM을 세계 최초로 개발하는 성과를 냈고 HBM 특성상 고객, 파트너사와의 협업이 중요한데 긴밀하게 잘 이뤄졌다"며 "최태원 (SK그룹) 회장의 글로벌 네트워킹 역시 HBM 리더십 확보에 영향을 미쳤다"고 설명했다.

왼쪽부터 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO) / [사진제공=SK하이닉스]

SK하이닉스는 HBM 경쟁력 근간인 MR-MUF 등의 기술력도 강조했다. 김종환 부사장은 "업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 공정 생산성과 1㎚(1㎚=10억분의 1m) 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업(Ramp-up) 역시 안정적으로 진행하고 있다"고 말했다. 이어 "MR-MUF는 HBM2E 4단을 시작으로 적용하기 시작했고, HBM3 및 HBM3E 8단에서도 최고 수준의 품질 경쟁력을 유지하고 있다"며 "HBM3 12단 역시 MR-MUF로 이미 양산 중이며 고객 요구 시점에 맞춰 적기에 최고 수준의 품질을 지속 유지할 수 있을 것으로 자신한다"고 설명했다.

지난달 반도체 시장 성장이 기대보다 낮을 수 있다는 우려가 나온 것과 관련해선 "AI향 수요 강세 지속 등 수급 개선으로 수익성이 확대되는 본격적인 회복 사이클 초입 단계에 진입했다"는 게 회사 평가다. 김주선 사장은 "HBM은 다이 사이즈도 크고 공정 수도 많아 HBM 등 프리미엄 제품으로의 생산 캐파 할당이 늘어날 경우 일반 D램 생산은 줄어들 가능성이 있고 재고가 급격히 줄고 있다"며 "하반기부터는 PC와 모바일, 일반 서버 등 전통적인 응용처 수요도 개선되며 메모리 시장이 안정적인 성장을 할 것"이라고 내다봤다. 이어 "회사의 가격 네고나 물량 협상 상황이 생각보다 나쁘지 않다"며 "공급 업자에게 우호적인 가격 환경이 지속될 것으로 예상되는 만큼 올해 메모리 시장은 상당히 긍정적으로 전망된다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 최근 꿈틀대고 있는 낸드 시장에 대한 기대감도 표했다. 안현 부사장은 "1분기부터 낸드 메모리 수요 핵심인 AI 서버 스토리지향 고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품 수요가 본격화하면서 시장 수요가 지난 1년6개월에서 2년간의 다운 턴을 극복하고 성장으로 방향이 전환됐다"며 "내년도 PC, 모바일 온디바이스 AI용 제품 채용이 늘면서 개인 기기용 낸드 수요도 확대될 것으로 보며 큰 폭의 매출과 이익 성장을 예상하고 있다"고 설명했다. 또 "급성장하는 고용량 SSD 수요에 대해서는 세계 유일 QLC 기반 고용량 60테라바이트(TB) eSSD가 준비돼 있어 이것으로 대응하면서 SK하이닉스도 올해 QLC 기반 60TB를 개발할 것"이라며 "내년에는 300TB까지 초고용량 제품도 준비해 솔리다임과 함께 고객에 대응할 계획"이라고 덧붙였다.

HBM 6세대인 HBM4 개발을 위해선 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC와 협력을 강화한다. 김 사장은 "이전부터 TSMC와 많은 기술 협업을 해왔고 최근에는 훨씬 더 깊이 있는 기술 교류에 대해 협의했다"고 말했다. 또 "HBM은 코어 다이와 베이스 다이로 구성돼 있는데, HBM3E까지는 D램 공정에서 우리가 생산했다면 HBM4부터는 성능과 효율을 최대치로 끌어내야 하는 난제가 있어 로직 공정을 활용, TSMC와 협업해 베이스 다이를 제작할 계획"이라고 설명했다.

용인 클러스터 향후 팹 구축 계획은 시장 수요에 따라 유연하게 결정할 계획이다. 김영식 부사장은 "현재 1기 팹 페이즈1을 얘기한 대로 내년부터 착공해서 2년 후에 하겠다고 했는데, 그 시점에 생산할 D램 제품을 기준으로 팹 설비를 하고 있다"며 "페이스2, 팹2기 등은 정해진 바 없고 시장 요구에 따라 공급을 진행할 것"이라고 설명했다.

HBM 물량 내년까지 솔드아웃…12단 HBM3E 3분기 양산 계획"

곽 사장은 이날 간담회 발표를 통해 HBM 물량이 올해는 물론이고 내년까지 대부분 완판됐다고 밝혔다. 공급이 수요를 따라가지 못하는 상황을 시사한 것이다.

곽 사장은 "기술 측면에서 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고 3분기 양산 가능하도록 준비하고 있다"고 설명했다. 이어 "앞으로 내실 있는 ‘질적 성장’을 위해 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 수익성을 지속해서 높여 나가고 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 재무 건전성도 제고해 나갈 계획"이라고 덧붙였다.

왼쪽부터 류병훈 부사장(미래전략 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 김영식 부사장(제조기술 담당), 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO), 김종환 부사장(D램개발 담당) / [사진제공=SK하이닉스]

곽 사장은 또 "SK하이닉스는 기술 경쟁력을 바탕으로 고객에는 차별화된 가치를 제공하고 고객 수요에 적기 대응할 수 있는 생산 능력을 확보해 AI 시대 고객으로부터 가장 신뢰받는 기업이자 내실 있는 기업으로 성장해나갈 것"이라며 "글로벌 대표 반도체 기업으로서 이천, 청주, 용인 등 팹이 있는 지역사회는 물론, 한국 경제에 기여하고 한국이 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장설 것"이라고 강조했다.

이날 김 사장은 ‘AI 메모리 비전’을, 최 부사장은 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김 부사장은 ‘청주 M15X 및 용인 클러스터 투자’를 각각 발표했다. 최 부사장은 "지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 첨단 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다"며 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라고 말했다. 또 "인디애나는 미 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드(Silicon Heartland)의 주요 거점"이라고 설명했다.

김 부사장은 "급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 2027년 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 생산능력 확대가 필요했고 청주에 M15X를 건설하기로 했다"며 "EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며 TSV 생산능력 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다"고 말했다.

용인 클러스터에 대해선 "SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 42%로 차질 없이 일정 진행 중"이라며 "2025년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공 예정"이라고 말했다. 이어 "클러스터에는 미니팹도 건설할 예정"이라며 "소부장(소재·부품·장비) 업체는 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있으며 기술 완성도를 높일 수 있는 최상의 솔루션을 받을 수 있다"고 설명했다.