초격차 삼성, 美실리콘밸리서 차세대 반도체 기술 대거 공개

서버용 256GB D램 모듈 등 4차산업혁명 시대 대비 신제품·신기술 선보여

삼성전자가 17일 (현지시간) 미국 실리콘밸리에서 연 '삼성 테크 데이 2018'에서 미주 지역총괄 최주선 부사장이 개회사를 하고 있다.

[아시아경제 명진규 기자, 이정민 기자] 삼성전자가 빅데이터, 클라우드, 인공지능(AI) 등 '4차산업혁명' 시장을 겨냥해 내년 양산 예정인 차세대 D램과 낸드플래시, 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 공개했다. 현재 삼성전자가 양산하고 있는 D램과 낸드플래시가 경쟁사 대비 한세대 앞선 가운데 이번에 공개된 제품은 2세대 이상 앞서 '기술 초격차'를 과시했다.

17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 열린 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018'에서 삼성전자 메모리사업부는 ▲서버용 '256기가바이트(GB) 3DS RDIMM(메모리모듈)' ▲ 엔터프라이즈향 7.68테라바이트(TB) 4비트 서버 솔리드스테이트들라이브(SSD) ▲6세대 V낸드 기술을 선보였다. 공개된 기술과 제품은 모두 서버와 기업 시장에 특화된 제품이다.

'256GB 3DS RDIMM'은 서버의 동작 속도를 높이기 위해 개발된 '인메모리 데이터베이스' 플랫폼 개발에 최적화돼 차세대 데이터센터를 겨냥한 제품이다. '인메모리 데이터베이스'는 초대용량 데이터를 D램에 저장해 처리 속도를 향상시키는 기술이다. 기존 서버용 D램 솔루션 대비 용량은 2배, 소비 전력 효율은 30% 이상 개선돼 데이터센터 입장에선 전기료를 비롯한 유지비를 크게 줄일 수 있다. 삼성전자는 파운드리에 먼저 적용한 극자외선노광(EUV) 공정을 D램에도 도입하겠다는 계획도 밝혔다.

지난해 삼성전자가 세계 최초로 양산해 공급한 10나노급 2세대(1y나노) D램

D램 개발을 담당하는 장성진 부사장은 "지난해 업계 최초로 10나노 후반급 D램으로 초격차 전략을 이어간데 이어 차세대 프리미엄 제품 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다"면서 "향후 파운드리에 먼저 적용하는 EUV 공정 기반의 차세대 D램도 선행 개발해 사업 위상을 높여갈 계획"이라고 말했다.

새로 발표한 서버용 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD는 동일 칩 크기에 저장 용량을 약 33% 늘리는 '4비트' 기술이 적용됐다. 낸드플래시의 새 이정표를 제시한 6세대 V낸드 기술은 속도와 용량을 모두 늘린 것이 특징이다.

낸드플래시 개발을 맡고 있는 경계현 부사장은 "초고속, 저전압 설계 기술이 적용된 업계 최초 5세대 V낸드 개발로 기술 초격차 리더십을 확보한데 이어 6세대 V낸드 역시 내년부터 양산해 최고 성능을 구현할 계획"이라고 말했다.

SSD등 메모리 솔루션 개발실을 맡고 있는 정재헌 부사장은 "기존 제품 대비 4배의 용량을 담아 가격 효율을 2배 높인 2세대 Z-SSD와 신뢰성과 성능을 향상시킨 4비트 SSD 등 다양한 기업용 제품들을 선보일 계획"이라고 말했다.

한편 이날 행사에서는 퓨처럼 리서치의 수석 분석가 다니엘 뉴먼이 '산업의 변화'를 주제로 기조연설을 맡았다. 애플 공동 창업자 스티브 워즈니악 강연과 마이크로소프트, 휴렛 팩커드 엔터프라이즈, 브이엠웨어 주요 인사들이 참여하는 패널 토론도 진행돼 큰 관심을 받았다.

삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장은 "빅데이터 분석과 인공지능(AI) 기술이 본격 확산되면서 차세대 IT 시장도 고객 가치를 높일 수 있도록 혁신적으로 변화하고 있다"며 "글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 기술 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 돼 기쁘다"고 말했다.