SK하이닉스, 中 우시 D램 신공장 가동…中 현지 대응 나선다(종합)

[아시아경제 안하늘 기자] SK하이닉스가 18일 중국 우시에서 C2F 준공식을 개최했다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로, SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다.

'새로운 도약, 새로운 미래'라는 주제로 열린 이 날 준공식 행사에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다. 하지만, 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.

SK하이닉스는 이같은 미래 반도체 생산 시설이 완공되기 전에 중국 우시 C2F를 본격 가동, 중국 등 글로벌 반도체 시장에서 규모의 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스가 2년간 약 1조원을 투자한 우시 C2F의 전체 D램 생산 능력은 기존의 2배(월 투입 웨이퍼 최대 20만장)로 늘어난다. 하이닉스는 C2F를 풀가동할 경우 전체 D램 생산의 절반 이상을 중국에서 생산하게 된다. 우시 C2F 가동으로 D램 생산량 세계 2위인 SK하이닉스가 세계 3위 D램 생산 업체인 미국 마이크론과 더욱 격차를 벌릴 수 있을 것으로 업계는 보고 있다.

업계 관계자는 "우시 반도체 공장의 경우 미세공정 전환에 필요한 공간이 추가로 확보되지 않으면 여유 공간이 부족해져 생산량 감소 등 효율 저하가 불가피한 상황이어서 중장기적 차원에서 D램 공장의 경쟁력 유지를 위해 보완 투자에 나선 것"이라며 "공장 가동으로 공급이 늘어나 D램 가격 하락으로 이어질 것이라는 우려도 있지만, SK하이닉스는 생산 능력 향상으로 최대 수요처인 중국에서의 시장 영향력 강화를 기대하는 상황이다"고 말했다.

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "C2F는 기존 C2 공장과 '원 팹(One FAB)'으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산 운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다.